一种低方阻银铜复合多层导电膜材料的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种低方阻银铜复合多层导电膜材料的制备方法，依次包括以下步骤：将银包铜粉体、玻璃粉、有机载体混合均匀，得到银包铜导电料浆；通过丝网印刷技术将所述银包铜导电料浆印刷在基板上，得到印刷均匀的银包铜导电膜；所得银包铜导电膜在马弗炉空气气氛中于650～800℃氧化烧结5～30min，待自然冷却至室温后，将银包铜导电膜在管式炉氢气气氛中于650～800℃还原烧结5～30min，得到单层的低方阻银铜导电膜；重复以上印刷和烧结步骤，得到低方阻银铜复合多层导电膜材料。该复合多层导电膜材料的宏观表面平整度好，排胶干净，致密化程度高，方阻低，提升了导电膜的电学性能和抗氧化性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于太阳能电池、半导体制造领域，具体涉及一种低方阻银铜复合多层导电膜材料的制备方法。

技术介绍

1、由于金属银的电学性质优异、耐腐蚀性能好，因此被广泛应用于太阳能电池、电子元器件等产业中，特别是微米纳米级别的银粉，经常用于导电浆料中作为主要导电相金属物质。铜是一种常见的价格低廉的有色金属，铜易于加工，电学性能优良。同时，铜也是冶金工业的重要原料，需求来源广泛。但金属铜稳定性差，因此一般只用于要求不高的工业应用中。并且，一般导电浆料需求的都是微米纳米级的金属超细粉末，在这种尺度下金属表面活化能高，金属铜更加容易被氧化，因此超细铜粉不适宜直接用作导电浆料的导电填料。如何得到一种成本低廉，抗氧化性与导电性优良的新型复合材料，是制备新型低成本导电浆料的关键。目前提高抗氧化方法主要包括：在铜表面形成一层配位层钝化铜粉，铜粉表面包覆一层银粒子和合金化。其中，金属包覆层能够有效隔绝外界气体、液体或化学物质的侵蚀，从而保护基地材料不受损坏，包覆方法有熔融雾化法、机械研磨法、化学镀法等。通过化学镀法制备的cu@ag材料兼具银优良的耐腐蚀性、抗氧化性和铜低廉的成本，本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种低方阻银铜复合多层导电膜材料的制备方法，其特征在于，依次包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的一种低方阻银铜复合多层导电膜材料的制备方法，其特征在于，所述银包铜粉体的微观形貌为片状，尺寸大小为1～3μm，其中元素银和铜的质量比Ag：Cu在1：(2～9)范围内。

3.根据权利要求1或2所述的一种低方阻银铜复合多层导电膜材料的制备方法，其特征在于，所述银包铜粉体的制备方法，具体步骤如下：

4.根据权利要求3所述的一种低方阻银铜复合多层导电膜材料的制备方法，其特征在于，步骤(1)中，铜粉和二水合氯化铵质量比为1：(1～3)，二水合氯化亚锡在盐酸中的...

【技术特征摘要】

1.一种低方阻银铜复合多层导电膜材料的制备方法，其特征在于，依次包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的一种低方阻银铜复合多层导电膜材料的制备方法，其特征在于，所述银包铜粉体的微观形貌为片状，尺寸大小为1～3μm，其中元素银和铜的质量比ag：cu在1：(2～9)范围内。

3.根据权利要求1或2所述的一种低方阻银铜复合多层导电膜材料的制备方法，其特征在于，所述银包铜粉体的制备方法，具体步骤如下：

4.根据权利要求3所述的一种低方阻银铜复合多层导电膜材料的制备方法，其特征在于，步骤(1)中，铜粉和二水合氯化铵质量比为1：(1～3)，二水合氯化亚锡在盐酸中的浓度250～350g/l，浓盐酸的浓度在20～38％的范围内；

5.根据权利要求1所述的一种低方阻银铜复合多层导电膜材料的制备方法，其特征在于，所述银包铜导电料浆按质量百分比计包括：有机载体20～30％，玻璃粉1～5％，银包铜粉体65～80％。

6.根据权利要求1所述的一种低方阻银铜复合多层导电膜材料的制备方法，其特征在于，所述银包铜导电料浆按质量百分比计包括：有机载体23～28％，玻璃粉1～3％，银包铜粉体69～74％。...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙一，赵杰，王学文，沈强，罗国强，陈文聪，
申请(专利权)人：武汉理工大学，
类型：发明
国别省市：