半导体结构及其制造方法、电子设备技术

一种半导体结构及其制造方法、电子设备。半导体结构包括基底和位于基底上的堆叠结构，堆叠结构包括从上至下依次层叠的M个导电部以及沿第一水平方向排布的第一连接部和第二连接部，第一连接部与第i个导电部的侧壁和第j个导电部的侧壁电连接，第二连接部与第m个导电部的侧壁和第n个导电部的侧壁电连接，第i个导电部在基底上的正投影与第n个导电部在基底上的正投影部分交叠，第i个导电部在第一水平方向上的尺寸小于第n个导电部在第一水平方向上的尺寸，其中，M为大于或等于4的正整数，i、j、m、n中的每个为小于或等于M的正整数，i<j，m<n，i≠m，且j‑i＝n‑m。该半导体结构可以减少所需的导电插塞的数量，减少互连部分的占用面积。

【技术实现步骤摘要】

本公开实施例涉及半导体，尤其涉及一种半导体结构及其制造方法、电子设备。

技术介绍

1、为了提高半导体器件的性能和器件密度，已经开发了三维堆叠的半导体器件。例如，在三维堆叠的半导体器件中，两个或更多个晶体管可以垂直堆叠。

2、然而，在制造三维堆叠的半导体器件时，为了实现垂直堆叠的晶体管之间的相互电连接以及垂直堆叠的晶体管与其他元器件和/或外部电路的相互电连接，需要设置相应的连接/接触结构，使得三维堆叠的半导体器件本身的结构及其制造工艺变得更加复杂，并面临各种挑战。

技术实现思路

1、根据本公开实施例的第一方面，提供一种半导体结构，包括：基底和位于基底上的堆叠结构。堆叠结构包括从上至下依次层叠的m个导电部以及沿第一水平方向排布的第一连接部和第二连接部，第一连接部与m个导电部中的第i个导电部的侧壁和第j个导电部的侧壁电连接，第二连接部与m个导电部中的第m个导电部的侧壁和第n个导电部的侧壁，第i个导电部在基底上的正投影与第n个导电部在基底上的正投影部分交叠，第i个导电部在第一水平方向上的尺寸小于第n个导电本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一连接部和所述第二连接部位于所述M个导电部的同一侧，所述第一连接部在所述基底上的正投影与所述第二连接部在所述基底上的正投影不交叠。

3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，m>j。

4.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一连接部和所述第二连接部位于所述M个导电部的相对侧。

5.根据权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，m>j或者m<j。

6.根据权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，j-i&...

【技术特征摘要】

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一连接部和所述第二连接部位于所述m个导电部的同一侧，所述第一连接部在所述基底上的正投影与所述第二连接部在所述基底上的正投影不交叠。

3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，m>j。

4.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一连接部和所述第二连接部位于所述m个导电部的相对侧。

5.根据权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，m>j或者m<j。

6.根据权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，j-i>1，所述半导体结构还包括：

7.根据权利要求1-6任一项所述的半导体结构，其特征在于，所述堆叠结构还包括依次层叠的m个晶体管，所述m个导电部中的第k个导电部与所述m个晶体管中的第k个晶体管位于同一层级且相互耦接，其中，k为正整数，k＝1，2，3，…，m。

8.根据权利要求7所述的半导体结构，其特征在于，所述堆叠结构还包括依次层叠的m条导电线，所述m条导电线中的第k条导电线与所述第k个导电部和所述第k个晶体管位于同一层级，所述第...

【专利技术属性】
技术研发人员：李晓杰，
申请(专利权)人：长鑫科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：