【技术实现步骤摘要】
本专利技术实施例涉及半导体制造领域，尤其涉及一种光刻模板、晶圆及光刻图形测量方法。
技术介绍
1、在半导体生产制造过程中，光刻工艺是半导体器件与大规模集成电路制造的核心步骤。光刻工艺可以利用特定波长的光进行辐照，将光刻模板上的图形转移到光刻胶上的过程。
2、其中，在进行半导体器件的制造过程中，通常需要多层图形套刻以形成对应的器件结构，相应的，多层图形的叠对位置精度(也称为套刻精度ovl)，是反映当层和前层的套刻准确度的重要参数。在进行半导体器件的制造过程中，可以通过测量多层图形的ovl参数，对光刻工艺进行ovl补偿，从而提高光刻工艺的ovl。
3、然而，现有的ovl测量方法容易产生偏差，造成ovl测量精度不高。
技术实现思路
1、本专利技术实施例提供一种光刻模板、晶圆及光刻图形测量方法，提高了ovl测量精度。
2、为解决上述问题，本专利技术实施例提供一种光刻模板，包括：
3、器件区和切片区；
4、其中，所述器件区内包括器件图形和与...
【技术保护点】
1.一种光刻模板，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的光刻模板，其特征在于，所述过渡区内包括多个过渡图形，所述对准区内包括多个对准图形；所述过渡区内的图形不同于所述对准区内的图形，包括：所述过渡区内的过渡图形的排布密度小于所述对准区内的对准图形的排布密度。
3.如权利要求2所述的光刻模板，其特征在于，所述过渡区内的过渡图形的排布密度为所述对准区内的对准图形的排布密度的1/5～4/5。
4.如权利要求2所述的光刻模板，其特征在于，所述对准区内的对准图形的排布密度等于所述器件图形的排布密度。
5.如权利要求1所述的光刻...
【技术特征摘要】
1.一种光刻模板，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的光刻模板，其特征在于，所述过渡区内包括多个过渡图形，所述对准区内包括多个对准图形；所述过渡区内的图形不同于所述对准区内的图形，包括：所述过渡区内的过渡图形的排布密度小于所述对准区内的对准图形的排布密度。
3.如权利要求2所述的光刻模板，其特征在于，所述过渡区内的过渡图形的排布密度为所述对准区内的对准图形的排布密度的1/5～4/5。
4.如权利要求2所述的光刻模板，其特征在于，所述对准区内的对准图形的排布密度等于所述器件图形的排布密度。
5.如权利要求1所述的光刻模板，其特征在于，所述过渡区位于所述对准区的两侧。
6.如权利要求1所述的光刻模板，其特征在于，所述过渡区的面积小于或等于对准区的面积的55％，且大于...
【专利技术属性】
技术研发人员：张高颖，柏耸，朱占魁，蒋运涛，杨晓松，张海，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：
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