【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，特别涉及一种半导体测试结构及其测试方法。
技术介绍
1、在半导体制造工艺中，器件需要采用金属导线进行电路互连，尤其对于大规模集成电路制造工艺，后段(beol)金属互连堆叠层次会更多。由于集成度的增加，金属线宽以及连接孔(contact/via)越来越小，相邻金属导线间距越来越小，且互连图形越来约复杂。无论是对opc(光学邻近修正)，还是工艺都提出了严重挑战，工艺过程中常会出现短路（bridge）失效或开路（open）失效。为监控设计上或线上工艺稳定性，会设计一些用于监控的测试结构(test key)，通过对测试结构进行电性测试并分析测试数据，从而有利于发现问题并针对性的解决问题。
2、现有的测试结构的功能较为单一，其通常只针对一种情形进行监测，并未考虑综合多种情形的复杂状况，使其与实际中的互连情形存在较大差异，不能起到有效监控的作用。而且，针对多种待监测的情形，设置多种上述功能单一的测试结构，还需要占用较多的版图面积。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在...
【技术保护点】
1.一种半导体测试结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体测试结构，其特征在于，所述第一梳状电极包括若干沿所述第一方向延伸的第一电极部、连接各所述第一电极部的第一引出部及与所述第一引出部连接的第一焊盘；
3.根据权利要求2所述的半导体测试结构，其特征在于，多个所述第二电极部设于所述第二引出部的一侧，所述第一引出部与所述第二引出部相对设置。
4.根据权利要求2所述的半导体测试结构，其特征在于，多个所述第二电极部设于所述第二引出部的两侧，所述第一引出部部分环绕所述第二引出部，并在所述第二引出部的两侧均设有所述叉指单元及所
...【技术特征摘要】
1.一种半导体测试结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体测试结构，其特征在于，所述第一梳状电极包括若干沿所述第一方向延伸的第一电极部、连接各所述第一电极部的第一引出部及与所述第一引出部连接的第一焊盘；
3.根据权利要求2所述的半导体测试结构，其特征在于，多个所述第二电极部设于所述第二引出部的一侧，所述第一引出部与所述第二引出部相对设置。
4.根据权利要求2所述的半导体测试结构，其特征在于，多个所述第二电极部设于所述第二引出部的两侧，所述第一引出部部分环绕所述第二引出部，并在所述第二引出部的两侧均设有所述叉指单元及所述蛇形结构。
5.根据权利要求2所述的半导体测试结构，其特征在于，每个所述叉指单元包括第一长电极部、第二长电极部、第一短电极部及第二短电极部，所述第一长电极部及所述第一短电极部均为所述第一电极部，所述第二长电极部及所述第二短电极部均为所述第二电极部，所述第一长电极部的一端与所述第一引出部连接且其另一端正对所述第二引出部，所述第二长电极部的一端与所述第二引出部连接且其另一端正对所述第一引出部，所述第一短电极部及所述第二短电极部各相互靠近一端正对设置且其各相互远离一端与对应引出部连接。
6.根据权利要求2所述的半导体测试结构，其特征在于，多个所述第四电极沿所述第一方向排列成第一组及第二组，所述第一组的第四电极靠近所述第一引出部设置且位于沿所述第二方向的第一直线上，所述第二组的第四电极靠近所述第二引出部设置且位于沿所述第二方向的第二直线上。
7.根据权利要求1所述的半导体测试结...
【专利技术属性】
技术研发人员：郑茂波，方潇功，王冲，
申请(专利权)人：芯联越州集成电路制造绍兴有限公司，
类型：发明
国别省市：
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