电容电路制造技术

本公开涉及电容电路。本公开提供的电容电路具有输入端子，并且被配置为在输入端子与第一参考电压之间提供增大的电容。该电容电路包括：被配置为在输入端子处提供补偿电流的电流源结构；具有第一控制端子和第一负载电流并且耦合到输入端子的第一晶体管；具有第二控制端子的第二晶体管；被配置为提供电容放大因子并且耦合在第一控制端子与第二控制端子之间的电容放大电路；以及具有核心电容并且耦合在第一控制端子与输入端子之间的电容器，其中补偿电流与直流操作期间的第一负载电流相对应，并且其中增大的电容基于核心电容和电容放大因子。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术一般涉及电容器，并且更确切地涉及提供增大的电容值的电路。

技术介绍

1、电容器通常要求很大的管芯面积，这在实现集成滤波器(例如低通滤波器)时可能尤其是一个问题。虽然存在管理电容器的管芯面积的同时提供增大的电容值的方法，但是这样的方法依赖于复杂的电路装置、较高的频率，难以调整到期望的电容值和/或不表现出电容器的典型直流(dc)行为。

2、因此，本公开的目的是提供一种提供增大的电容值的电路，该电路易于根据应用灵活地或固定地调整，并且在要求减小的管芯面积量的同时表现出电容器的典型dc行为。

技术实现思路

1、为了实现此目的，本公开提供一种电容电路，该电容电路具有输入端子，并且被配置为在输入端子与第一参考电压之间提供增大的电容。该电容电路包括被配置为在输入端子处提供补偿电流的电流源结构；具有第一控制端子和第一负载电流并且耦合到输入端子的第一晶体管；具有第二控制端子的第二晶体管；被配置为提供电容放大因子并且耦合在第一控制端子与第二控制端子之间的电容放大电路；以及具有核心电容并且耦合在第一控制端子与本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种电容电路(100)，具有输入端子(Tin)，并且被配置为在所述输入端子(Tin)与第一参考电压(VDD、VGND)之间提供增大的电容(Cinc)，所述电容电路包括：

2.根据权利要求1所述的电容电路(100)，其中：

3.根据权利要求1和权利要求2中的任一项所述的电容电路(100)，其中：

4.根据权利要求3所述的电容电路(100)，其中：

5.根据权利要求3所述的电容电路(100)，其中：

6.根据权利要求5所述的电容电路，还包括电容放大控制电路(150)，所述电容放大控制电路(150)耦合到所述电容放大控制端子，并且...

【技术特征摘要】

1.一种电容电路(100)，具有输入端子(tin)，并且被配置为在所述输入端子(tin)与第一参考电压(vdd、vgnd)之间提供增大的电容(cinc)，所述电容电路包括：

2.根据权利要求1所述的电容电路(100)，其中：

3.根据权利要求1和权利要求2中的任一项所述的电容电路(100)，其中：

4.根据权利要求3所述的电容电路(100)，其中：

5.根据权利要求3所述的电容电路(100)，其中：

6.根据权利要求5所述的电容电路，还包括电容放大控...

【专利技术属性】
技术研发人员：IA·伊利，C·S·泽格鲁，
申请(专利权)人：英飞凌科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：