驱动电路制造技术

本发明专利技术的目在于提供通过小规模的结构抑制消耗电力，并且对功率半导体元件发生短路时的浪涌电压进行抑制的驱动电路。栅极驱动器IC(101)具有：多个开关元件，它们对IGBT(201)进行驱动；比较器(31)，其在连接于IGBT(201)的发射极端子和接地之间的分流电阻(202)的电位大于或等于Vth1的情况下输出警报信号；延迟电路(33)，其在警报信号开始输出后输出触发信号；以及控制部(34)，其对多个开关元件的接通及断开进行控制。上桥臂的开关元件包含与同一电压源(51)连接的PMOS(11、12)。下桥臂的开关元件包含NMOS(21、22)。如果输出了警报信号，则控制部(34)将PMOS(12)设为断开，如果输出了触发信号，则控制部(34)将NMOS(22)设为接通。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及功率半导体元件的驱动电路。

技术介绍

1、在专利文献1中公开了一种驱动电路，该驱动电路在igbt(insulated gatebipolar transistor)发生了短路时，通过使与igbt的栅极连接的下桥臂的开关元件导通，抑制流向igbt的栅极的电流，从而对igbt的软切断时的浪涌电压进行抑制。

2、专利文献1：日本特开2003-134797号公报

3、在专利文献1的驱动电路中，为了降低流向igbt的栅极的电流，需要下桥臂的开关元件。另外，存在如下问题，即，将上桥臂的开关元件和下桥臂的开关元件短路，由此消耗电力增大。

技术实现思路

1、本专利技术就是为了解决上述问题而提出的，其目的在于提供通过小规模的结构抑制消耗电力，并且对功率半导体元件发生短路时的浪涌电压进行抑制的驱动电路。

2、本专利技术的驱动电路具有：多个开关元件，它们对功率半导体元件进行驱动；过电流检测器，其在连接于功率半导体元件的主端子和接地之间的分流电阻的电位大于或等于预先规定的第1阈值的情本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种驱动电路，其具有：

2.根据权利要求1所述的驱动电路，其中，

3.根据权利要求1所述的驱动电路，其中，

4.根据权利要求1至3中任一项所述的驱动电路，其中，

5.根据权利要求1至4中任一项所述的驱动电路，其中，

6.根据权利要求1至4中任一项所述的驱动电路，其中，

7.根据权利要求1至4中任一项所述的驱动电路，其中，

8.根据权利要求1至7中任一项所述的驱动电路，其中，

9.根据权利要求1至8中任一项所述的驱动电路，其中，

10.根据权利要求1至9中任一项所述的驱动电路，其...

【技术特征摘要】

1.一种驱动电路，其具有：

2.根据权利要求1所述的驱动电路，其中，

3.根据权利要求1所述的驱动电路，其中，

4.根据权利要求1至3中任一项所述的驱动电路，其中，

5.根据权利要求1至4中任一项所述的驱动电路，其中，

6.根据权利要求1至...

【专利技术属性】
技术研发人员：清木场悠，佐野昇平，羽生洋，
申请(专利权)人：三菱电机株式会社，
类型：发明
国别省市：