【技术实现步骤摘要】
本技术涉及半导体器件加工领域，尤其涉及一种气体传输系统，以及一种半导体镀膜设备。
技术介绍
1、液态源常常被用于在半导体镀膜设备中提供反应气体，以发生薄膜沉积反应。在传统的半导体镀膜设备中，反应气体从液态源中被引出，之后直接被输送至工艺腔室或经由稳压罐进入工艺腔室内进行薄膜沉积工艺。因此，气体传输管路中气体压力的稳定影响着晶圆成膜的质量。然而，现有的半导体镀膜设备无法有效控制气体传输管路中的反应气体的流量及压力。并且，在液态源气流量过大的时候会出现反流现象，进而污染其他腔室或反应源。
2、为了克服现有技术存在的上述缺陷，本领域亟需一种改进的气体传输系统，通过设置稀释气体管路和手阀，用于控制气体传输管路中的压力稳定，以提升晶圆成膜的厚度均匀性。
技术实现思路
1、以下给出一个或多个方面的简要概述以提供对这些方面的基本理解。此概述不是所有构想到的方面的详尽综览，并且既非旨在指认出所有方面的关键性或决定性要素亦非试图界定任何或所有方面的范围。其唯一的目的是要以简化形式给出一个或多个方...
【技术保护点】
1.一种气体传输系统，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的气体传输系统，其特征在于，所述特气源包括高压的液态特气储罐，其通过向所述特气管路的第一端释压来提供第一流量的高浓度特气。
3.如权利要求2所述的气体传输系统，其特征在于，还包括：
4.如权利要求2所述的气体传输系统，其特征在于，还包括：
5.如权利要求4所述的气体传输系统，其特征在于，还包括：
6.如权利要求4所述的气体传输系统，其特征在于，还包括：
7.如权利要求6所述的气体传输系统，其特征在于，所述稳压罐的进气端先被打开到预设的第...
【技术特征摘要】
1.一种气体传输系统，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的气体传输系统，其特征在于，所述特气源包括高压的液态特气储罐，其通过向所述特气管路的第一端释压来提供第一流量的高浓度特气。
3.如权利要求2所述的气体传输系统，其特征在于，还包括：
4.如权利要求2所述的气体传输系统，其特征在于，还包括：
5.如权利要求4所述的气体传输系统，其特征在于，还...
【专利技术属性】
技术研发人员：吉万顺，路希龙，唐仁鹏，何吉超，董文惠，张强，刘润哲，刘英明，
申请(专利权)人：拓荆科技上海有限公司，
类型：新型
国别省市：
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