III族元素氮化物半导体基板及贴合基板制造技术

本发明专利技术提供一种III族元素氮化物半导体基板，其是具备第一面和第二面的III族元素氮化物半导体基板，在表面产生创伤的情况得以抑制。本发明专利技术的实施方式所涉及的III族元素氮化物半导体基板是具备第一面和第二面的III族元素氮化物半导体基板，其中，当将自该第一面的表面的外周起算为1mm的范围设为外周部，将该第一面的表面的除该外周部以外的部分设为内周部时，通过阴极发光观察，在该外周部观察到变质层，在该内周部没有观察到变质层。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本专利技术涉及iii族元素氮化物半导体基板。更详细而言，涉及iii族元素氮化物半导体基板，其是具备处于表背关系的主面和背面的iii族元素氮化物半导体基板，在表面产生创伤的情况得以抑制。

技术介绍

1、作为各种半导体器件的基板，使用氮化镓(gan)晶片、氮化铝(aln)晶片、氮化铟(inn)晶片等iii族元素氮化物半导体基板(例如专利文献1等)。

2、半导体基板具备第一面和第二面。当将第一面设为主面，将第二面设为背面时，主面代表性地为iii族元素极性面，背面代表性地为氮极性面。在主面上能够生长外延结晶，另外，能够制作各种器件。

3、iii族元素氮化物半导体基板被用作led、ld等半导体器件的基底基板。

4、以氮化镓基板为首的宽带隙半导体可期待作为在高耐压化、低损失化、开关速度的高速化、器件的小型化等各种方面带来技术革新的下一代功率器件的用途。

5、氮化镓基板存在如下问题：从其硬度的大小考虑，容易在制造工序中产生创伤、开裂(裂纹、裂缝、缺口)这些不良，成品率降低，因此，制造成本升高。

<p>6、作为氮化镓基本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种III族元素氮化物半导体基板，其具备第一面和第二面，

2.根据权利要求1所述的III族元素氮化物半导体基板，其特征在于，

3.根据权利要求1或2所述的III族元素氮化物半导体基板，其特征在于，

4.一种贴合基板，其是将权利要求1或2所述的III族元素氮化物半导体基板和支撑基板贴合而成的。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种iii族元素氮化物半导体基板，其具备第一面和第二面，

2.根据权利要求1所述的iii族元素氮化物半导体基板，其特征在于，

3.根据权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：齐藤亚有实，杉山智彦，
申请(专利权)人：日本碍子株式会社，
类型：发明
国别省市：