【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于晶体生长装置，具体涉及一种抑制原料挥发并收集挥发物的gasb晶体生长装置。
技术介绍
1、iii-v族化合物半导体材料gasb是制备红外探测器、红外激光器和红外热光伏电池等光电器件的理想衬底材料。
2、目前最为广泛使用的gasb体晶生长方法是液封直拉法。液封直拉法生长gasb体晶的流程如下：首先把由高纯的ga原料和sb原料合成的gasb多晶料放置在热解氮化硼陶瓷(pbn)坩埚中，置于由电磁感应加热器构成的温场中；控制加热器的功率升至过热温度使gasb多晶料熔化，通过电机控制坩埚底部支撑匀速旋转使gasb充分均匀化；控制加热器功率使gasb多晶料界面温度为gasb熔点712℃左右，把gasb籽晶通过坩埚顶部籽晶杆伸入gasb多晶料中；预热一段时间之后，通过坩埚顶部提拉旋转装置使籽晶以一定的提拉速度和旋转速度向上提拉，籽晶和熔体在交界面上不断进行原子或分子的重新排列，随降温逐渐凝固而生长出gasb单晶体。
3、在gasb的熔点附近，sb的饱和蒸气压为3.6×10-6torr。熔料时的过热温度约1000℃...
【技术保护点】
1.一种抑制原料挥发并收集挥发物的晶体生长装置，其特征在于：
2.根据权利要求1所述抑制原料挥发并收集挥发物的晶体生长装置，其特征在于：
3.根据权利要求1或2所述抑制原料挥发并收集挥发物的晶体生长装置，其特征在于：
4.根据权利要求3所述抑制原料挥发并收集挥发物的晶体生长装置，其特征在于：
5.根据权利要求4所述抑制原料挥发并收集挥发物的晶体生长装置，其特征在于：
6.根据权利要求5所述抑制原料挥发并收集挥发物的晶体生长装置，其特征在于：
7.根据权利要求6所述抑制原料挥发并收集挥发物的晶体生长...
【技术特征摘要】
1.一种抑制原料挥发并收集挥发物的晶体生长装置，其特征在于：
2.根据权利要求1所述抑制原料挥发并收集挥发物的晶体生长装置，其特征在于：
3.根据权利要求1或2所述抑制原料挥发并收集挥发物的晶体生长装置，其特征在于：
4.根据权利要求3所述抑制原料挥发并收集挥发物的晶体生长装置，其特征在于：
5.根据权利要求4所述抑制原料挥发并收集挥发物的晶体生长装置，其特征在于：
<...【专利技术属性】
技术研发人员：陈建全，于晖，刘宏广，余海文，徐凌燕，介万奇，
申请(专利权)人：西北工业大学，
类型：发明
国别省市：
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