一种测量导电膜(3)厚度的装置(10)和传感器(1)，导电膜(3)位于晶圆(2)上，装置(10)包括：第一线圈(110)被配置为产生磁场，以在晶圆(2)中激发涡流；第二线圈(120)设置在第一线圈(110)的靠近晶圆(2)的第一侧并且与第一线圈(110)相隔一段距离；以及第三线圈(130)设置在第一线圈(110)的与第一侧相对的第二侧，并且与第一线圈(110)相隔一段距离；其中第二线圈(120)的直径和第三线圈(130)的直径相同并且大于第一线圈(110)的直径。装置(10)能够在保证测量精度的同时尽可能地缓解晶圆(2)的边缘衰减效应，从而有效地平衡两者之间的矛盾。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
技术介绍
技术实现思路
【技术保护点】
PCT国内申请，权利要求书已公开。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
pct国内申请，权...
【专利技术属性】
技术研发人员：白永，丁宇杰，邓珠峰，
申请(专利权)人：华为技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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