一种SnO2基复合靶材及其制备方法和应用技术

本发明专利技术公开了一种SnO2基复合靶材及其制备方法和应用；本发明专利技术的SnO2基复合靶材包括如下质量百分比的组分：SnO2的含量为91.5％～95.5％，银的含量为3％～5％，氧化铜的含量为1％～2％，氧化镧的含量为0.5％～1.5％，各组分用量之和为100％。本发明专利技术通过引入Ag、Cu和La的协同共掺杂，系统地提升SnO2的导电性、机械性能及烧结性能。进一步提高了靶材的致密度和降低了靶材的电阻率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及靶材制备，尤其是涉及一种sno2基复合靶材及其制备方法和应用。

技术介绍

1、氧化锡(sno2)基tco薄膜由于原材料储量丰富、无毒化学稳定性良好而成为研究热点。二氧化锡(sno2)以其卓越的光学透明性、良好的化学稳定性及电学性质而备受瞩目，尤其在能源、环保、信息存储和光电子等尖端科技领域展现出广泛的应用前景。然而，尽管sno2的自然属性颇受青睐，但其在高性能要求下仍面临烧结困难、导电性不足及力学性能有限等诸多挑战。

2、因此，有必要开发一种sno2基复合靶材。

技术实现思路

1、本专利技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本专利技术第一方面提出一种sno2基复合靶材，能够改善sno2靶材的烧结性能及电学性能。

2、本专利技术第二方面还提供一种sno2基复合靶材的制备方法。

3、本专利技术第三方面还提供一种sno2基复合靶材的应用。

4、根据本专利技术的第一方面实施例提供的sno2基复合靶材，包括如下质量百分比的组分：

5本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种SnO2基复合靶材，其特征在于，包括如下质量百分比的组分：

2.根据权利要求1所述的SnO2基复合靶材，其特征在于，所述银的粒径为20～30nm。

3.根据权利要求1所述的SnO2基复合靶材，其特征在于，所述SnO2的比表面积为10m2/g～25m2/g。

4.根据权利要求1～3任一项所述的SnO2基复合靶材的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

5.根据权利要求4所述的SnO2基复合靶材的制备方法，其特征在于，步骤S2中，所述压制成型的压力为100MPa～200MPa。

6.根据权利要求4所述的SnO2基复合靶材的制备...

【技术特征摘要】

1.一种sno2基复合靶材，其特征在于，包括如下质量百分比的组分：

2.根据权利要求1所述的sno2基复合靶材，其特征在于，所述银的粒径为20～30nm。

3.根据权利要求1所述的sno2基复合靶材，其特征在于，所述sno2的比表面积为10m2/g～25m2/g。

4.根据权利要求1～3任一项所述的sno2基复合靶材的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

5.根据权利要求4所述的sno2基复合靶材的制备方法，其特征在于，步骤s2中，所述压制成型的压力为100mpa～200mpa。

6.根据权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：高钰航，陈露，葛春桥，
申请(专利权)人：中山智隆新材料科技有限公司，
类型：发明
国别省市：