【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本公开涉及半导体装置，且更特定而言，涉及具有为提高性能、坚固性及可靠性而配置或调适的某些参数的高压半导体装置。
技术介绍
1、通常，在常规高电压或功率技术中，半导体通过实施高于击穿电压的最高可能终端电压来提供边缘终端及电位场分布。这些边缘终端设计主要集中在半导体内部的区域中，少数情况下考虑半导体表面上面的区域。
2、实际上，常规技术要求半导体的边缘终端元件具有固定电压来实施边缘终端及电位场分布。
3、举例而言，诸如浮动场板的边缘终端元件仅放置在半导体表面上面的绝缘层内，而不与诸如金属板的其他边缘终端元件以及半导体层内的浮动场环连接。以此方式，边缘终端元件与其他边缘终端元件电容耦合。电容耦合严格取决于材料、电容率、电导性等。因此，因为绝缘层的这种边缘终端元件未连接，所以固定电压严格取决于用于电位场分布的材料性质(即，在绝缘层与边缘终端元件之间的泄漏)。
4、作为另一示例，一些边缘终端常规技术严格集中在半导体表面下面的区域上，诸如浮动场环、结终端延伸部、减小的电场(resurf)，或其组合。然而，对外延层...
【技术保护点】
1.一种半导体装置，其包含：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述两个或更多个终端单元中的每一个从所述半导体装置的第一区域延伸到所述半导体装置的第二区域中。
3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，所述第一区域包含至少一个介电膜、所述两个或更多个终端单元的所述金属板以及所述两个或更多个终端单元的所述浮动场板。
4.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，所述两个或更多个终端单元中的每一个的所述多个浮动场环驻留在所述第二区域的电终端层中。
5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述两个或更多个终端单元中的每一...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种半导体装置，其包含：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述两个或更多个终端单元中的每一个从所述半导体装置的第一区域延伸到所述半导体装置的第二区域中。
3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，所述第一区域包含至少一个介电膜、所述两个或更多个终端单元的所述金属板以及所述两个或更多个终端单元的所述浮动场板。
4.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，所述两个或更多个终端单元中的每一个的所述多个浮动场环驻留在所述第二区域的电终端层中。
5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述两个或更多个终端单元中的每一个的宽度从所述第一浮动场环的外壁延伸到所述第二浮动场环的外壁。
6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第一宽度大于所述第二宽度。
7.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述两个或更多个终端单元中的每一个被配置为根据跨所述终端单元的电压降来促进所述电场分布。
8.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述两个或更多个终端单元中的每个终端单元的所述浮动场板与同一终端单元的所述多个浮动场环中的至少一个相关联。
9.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述两个或更多个终端单元中的每一个的所述多个浮动场环中的至少一个不与同一终端单元的对应的浮动场板相关联。
10.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述多个浮动场板中的每一个包含多晶硅。
...【专利技术属性】
技术研发人员：A·谢比卜，J·杨，M·阿扎姆，
申请(专利权)人：威世硅尼克斯有限责任公司，
类型：发明
国别省市：
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