半导体器件和形成半导体器件的部件的方法技术

本文公开了一种半导体器件和形成半导体部件的方法。在一个方面，半导体部件由公共引线框架形成，在该公共引线框架中，裸片贴装垫和源极夹最初相互连接。半导体的形成可以包括：将源极夹与裸片贴装垫分割，然后将裸片堆叠在源极夹与裸片贴装垫之间；或者，将源极夹折叠到裸片贴装垫上，以使得源极夹被折叠到贴装在裸片贴装垫上的裸片上。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本公开涉及半导体，尤其涉及半导体、半导体的连接部件以及形成半导体部件的形成技术和方法。

技术介绍

1、半导体是众所周知的。图1a显示了这样一种已知的半导体，其包括裸片2，例如功率mosfet裸片，该裸片具有包括漏极表面或触点的第一表面(即底面)以及包括限定源极触点3的第一金属化区域和包括栅极触点4的第二金属化区域的第二表面(即顶面)。半导体还包括与漏极触点耦合并电连接的底部金属板6。半导体包括从底部金属板6延伸并与漏极触点电连接的漏极端子7。源极端子8通过电连接(如导线9)与源极触点3电连接，栅极11通过另一个电连接或导线9与栅极触点4电连接。图1b显示了另一种半导体布局，其中金属板或金属夹12取代了导线9。与图1a的布局相比，这种配置被认为是一种改进，因为它减少了与图1a中连接各种导线9相关的制造时间和成本。

2、功率半导体封装的一种常见制造工艺涉及制造第一引线框架以形成半导体裸片和相关引线以及制造第二引线框架以形成金属板或金属夹。这两个引线框架彼此完全不同。

3、由于根据已知的技术和切割模式会产生过多的废料或废弃材料，因此从多个本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体器件，其包括：

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一源极夹连接杆包括位于所述裸片贴装垫和所述源极夹之间的弯曲部分。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述栅极夹连接杆包括位于所述裸片贴装垫和所述栅极夹之间的弯曲部分。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述裸片贴装垫、所述源极夹和所述第一源极夹连接杆是一体形成的。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述裸片贴装垫、所述栅极夹和所述栅极夹连接杆是一体形成的。

6.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述第一源极夹连接杆具有U形、...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种半导体器件，其包括：

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一源极夹连接杆包括位于所述裸片贴装垫和所述源极夹之间的弯曲部分。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述栅极夹连接杆包括位于所述裸片贴装垫和所述栅极夹之间的弯曲部分。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述裸片贴装垫、所述源极夹和所述第一源极夹连接杆是一体形成的。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述裸片贴装垫、所述栅极夹和所述栅极夹连接杆是一体形成的。

6.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述第一源极夹连接杆具有u形、c形或弧形的部分。

7.根据权利要求3所述的半导体器件，其中，所述栅极夹连接杆具有u形、c形或弧形的部分。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，其还包括第二源极夹连接杆，所述第二源极夹连接杆在与所述第一位置间隔开的第三位置将所述裸片贴装垫连接到所述源极夹。

9.根据权利要求8所述的半导体器件，其中，所述裸片贴装垫、所述源极夹和所述第二源极夹连接杆是一体形成的。

10.根据权利要求8所述的半导体器件，其中，所述第二源极夹连接杆包括位于所述裸片贴装垫和所述源极夹之间的弯曲部分。

11.根据权利要求10所述的半导体器件，其中，所述第二源极夹连接杆具有u形、c形或弧形的部分。

12.根据权利要求11所述的半导体器件，其中，所述第一源极夹连接杆和所述第二源极夹连接杆被配置为将所述源极夹保持就位。

13.根据权利要求1所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：林子坚，庄光辉，YK·泰欧，林昌志，赖添源，
申请(专利权)人：威世硅尼克斯有限责任公司，
类型：发明
国别省市：