稳压电路以及电子设备制造技术

本申请涉及电子技术领域和半导体器件领域，且提供一种稳压电路以及电子设备。所述稳压电路形成于半导体基板，所述稳压电路包括串联连接的前级稳压模块、低通滤波模块和后级稳压模块，所述低通滤波模块包括形成在所述半导体基板上的电连接的电阻和电容。由此，通过前级稳压模块将电压稳定在需要的水平，然后通过低通滤波模块将前级稳压模块带来的噪声滤除，从而能够从后级稳压模块输出噪声小的稳定电压，虽然本申请实施例的稳压电路增加了低通滤波模块和后级稳压模块而增大了器件的面积，但是，与采用传统的降噪方式相比，在增加相同的面积的情况下本申请的降低噪声的效率更高。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及电子和半导体器件领域，尤其涉及一种稳压电路以及电子设备。

技术介绍

1、稳压电路的噪声主要来源于提供参考电压的电源(例如带隙基准源)和误差放大器，噪声主要包括为0.1～10hz的低频闪烁噪声(flick noise)和10hz至几百khz的热噪声(thermal noise)，其中，0.1～10hz的噪声的基本值大概为几十个μv/v(p-p)；10hz～几百khz的噪声的基本值大概为几百μv/v(p-p)，在对噪声要求比较高的应用场景下，这些噪声的存在对于技术人员来说是很大的挑战。

2、传统的解决方式主要依靠增大内部器件的面积来降低闪烁噪声，提高内部器件的跨导来降低以上两种噪声。

3、本部分旨在为权利要求书中陈述的本申请实施例提供背景或上下文。此处的描述不因为包括在本部分中就承认是现有技术。

技术实现思路

1、专利技术人发现，增大内部器件的面积或者提高内部器件的跨导不仅会增加器件的整体成本，而且会导致功耗大幅增加；并且，对于对噪声要求极高应用场景，需要成倍或成百倍的增大内部器本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种稳压电路，其特征在于，所述稳压电路形成于半导体基板，所述稳压电路包括串联连接的前级稳压模块、低通滤波模块和后级稳压模块，所述低通滤波模块包括形成在所述半导体基板上的电连接的电阻和电容。

2.根据权利要求1所述的稳压电路，其中，所述电阻包括源极和漏极分别对应连接的NMOS管和PMOS管以及分别与所述NMOS管和所述PMOS管的栅极电连接的电压源。

3.根据权利要求2所述的稳压电路，其中，施加到所述NMOS管和所述PMOS管的栅极电压随温度的变化而变化，使得所述电阻的电阻值与所述电容的电容值的乘积相对于温度的变化量为0。

4.根据权利要求3所述的稳...

【技术特征摘要】

1.一种稳压电路，其特征在于，所述稳压电路形成于半导体基板，所述稳压电路包括串联连接的前级稳压模块、低通滤波模块和后级稳压模块，所述低通滤波模块包括形成在所述半导体基板上的电连接的电阻和电容。

2.根据权利要求1所述的稳压电路，其中，所述电阻包括源极和漏极分别对应连接的nmos管和pmos管以及分别与所述nmos管和所述pmos管的栅极电连接的电压源。

3.根据权利要求2所述的稳压电路，其中，施加到所述nmos管和所述pmos管的栅极电压随温度的变化而变化，使得所述电阻的电阻值与所述电容的电容值的乘积相对于温度的变化量为0。

4.根据权利要求3所述的稳压电路，其中，在温度超过预定阈值的情况下，所述电容的电容值随温度的上升...

【专利技术属性】
技术研发人员：李秋平，王富城，
申请(专利权)人：北京芯兴微电子有限责任公司，
类型：发明
国别省市：