绝缘体上压电（POI）基板和制造绝缘体上压电（POI）基板的方法技术

本发明专利技术涉及一种绝缘体上压电(POI)基板(100)，该POI基板包括：具有第一声阻抗的支承基板(102)；压电层(104)，具体是由钽酸锂、铌酸锂、氮化铝、锆钛酸铅、硅酸镓镧或钽酸镓镧形成；具有第二声阻抗并且被夹设在压电层(104)与支承基板(102)之间的介电层(110)；以及位于支承基板(102)与介电层(110)之间的中间层(106)，其特征在于，中间层(106)是如下层：该层具有可变组分，具体地，沿着该层的厚度具有可变组分，以使得中间层的声阻抗在第一声阻抗的值与第二声阻抗的值之间变化，具体地，渐进地变化。本发明专利技术还涉及制造这种POI基板的方法，并且还涉及包括这种POI基板的表面声波器件。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

技术介绍

技术实现思路

【技术保护点】

1.一种绝缘体上压电(POI)基板(100、200)，所述绝缘体上压电(POI)基板(100、200)包括：

2.根据权利要求1所述的绝缘体上压电(POI)基板(100、200)，其中，所述支承基板(102)是基于硅的基板，所述介电层(110)是氧化硅层，并且所述中间层(106)是具有可变氧组分和/或可变氮组分的氧氮化硅SiOxNy层。

3.根据权利要求1或2所述的绝缘体上压电(POI)基板(100、200)，其中，所述中间层(106)的组分变化是渐进线性或逐步变化。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的绝缘体上压电(POI)基板(100、200)，其...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种绝缘体上压电(poi)基板(100、200)，所述绝缘体上压电(poi)基板(100、200)包括：

2.根据权利要求1所述的绝缘体上压电(poi)基板(100、200)，其中，所述支承基板(102)是基于硅的基板，所述介电层(110)是氧化硅层，并且所述中间层(106)是具有可变氧组分和/或可变氮组分的氧氮化硅sioxny层。

3.根据权利要求1或2所述的绝缘体上压电(poi)基板(100、200)，其中，所述中间层(106)的组分变化是渐进线性或逐步变化。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的绝缘体上压电(poi)基板(100、200)，其中，中间氧氮化硅sioxny层(106)的所述可变组分，即，氧氮化硅sioxny层(106)的所述可变组分的量qt由qt＝y/(y+x)限定并且沿着氧氮化硅sioxny层的厚度变化，更具体地，其中，在与所述介电层(110)的界面(112)处，qt为0，并且在与所述支承基板(102)的界面(108)处，qt为至少0.4。

5.根据权利要求4所述的绝缘体上压电(poi)基板(100、200)，其中，针对si具有取向(100)的类型的支承基板(102)，在与所述支承基板(102)的界面(108)处，所述量qt等于约0.5，针对si具有取向(110)的类型的支承基板(102)，qt等于约0.68，并且针对si具有取向(111)的类型的支承基板(102)，qt等于约0.7。

6.根据权利要求4或5所述的绝缘体上压电(poi)基板(100、200)，其中，在与所述压电层(104)的所述介电层(110)的界面(112)和与所述支承基板(102)的界面(108)之间，所述氧氮化硅sioxny层(106)的所述量qt以增大方式变化，特别是以逐步方式或线性增大方式变化。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的绝缘体上压电(poi)基板(100、200)，所述绝缘体上压电(poi)基板(100、200)还包括位于所述支承基板(10...

【专利技术属性】
技术研发人员：亚历克西斯·德劳因，
申请(专利权)人：索泰克公司，
类型：发明
国别省市：