【技术实现步骤摘要】
本技术涉及pecvd设备，尤其涉及一种炉管支撑装置及半导体热处理设备。
技术介绍
1、pecvd(plasma enhanced chemical vapor deposition，中文全称为离子体增强化学气相淀积)设备主要用于硅片太阳能器件制造中减反射膜的镀膜工艺，炉管是镀膜工艺的反应腔室，需要固定在支撑横梁上。
2、为了保证推舟送片机构顺利进入炉管，就必须将炉管与推舟送片机构的相对位置对准，由于推舟送片机构是固定在送料滑台上的，无法调节，因此只能对炉管位置进行调节，炉管为圆柱形，体积大、重量重，现有的炉管支撑调节装置主要包括安装在支撑横梁上的四个坡面支架，调节时需要操作人员手动移动坡面支架，极为费力，此外，这种方法依靠斜面调节高度和前后方向上的距离，两个方向是同时进行的，不具有独立可调性，其调节并不完全可控。
技术实现思路
1、本技术提供了一种炉管支撑装置及半导体热处理设备，用以解决现有技术中不方便调节炉管位置的缺陷。
2、第一方面，本技术提供一种炉管支撑装置，
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【技术保护点】
1.一种炉管支撑装置，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的炉管支撑装置，其特征在于，一对所述支撑杆包括第一支撑杆(5)和第二支撑杆(6)，所述第一支撑杆(5)和/或所述第二支撑杆(6)的两端分别与所述安装座(2)活动连接，并能够沿第一方向移动。
3.根据权利要求2所述的炉管支撑装置，其特征在于，所述第二调节机构(4)作用于所述第二支撑杆(6)，能够驱使所述第二支撑杆(6)沿第一方向靠近或远离所述第一支撑杆(5)。
4.根据权利要求3所述的炉管支撑装置，其特征在于，所述第二调节机构(4)包括：
5.根据权利要求4所...
【技术特征摘要】
1.一种炉管支撑装置，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的炉管支撑装置，其特征在于，一对所述支撑杆包括第一支撑杆(5)和第二支撑杆(6)，所述第一支撑杆(5)和/或所述第二支撑杆(6)的两端分别与所述安装座(2)活动连接，并能够沿第一方向移动。
3.根据权利要求2所述的炉管支撑装置，其特征在于，所述第二调节机构(4)作用于所述第二支撑杆(6)，能够驱使所述第二支撑杆(6)沿第一方向靠近或远离所述第一支撑杆(5)。
4.根据权利要求3所述的炉管支撑装置，其特征在于，所述第二调节机构(4)包括：
5.根据权利要求4所述的炉管支撑装置，其特征在于，所述安装座(2)包括安装板(21)，所述安装板(21)间隔设置有固定孔和调节孔(23)，所述第一支撑杆(5)的端部与所述固定孔适配，所述第二支撑杆(6)的端部设置在所述调节孔(23)中，并能够在所述调节孔(23)中沿第一方向往复移动。
6...
【专利技术属性】
技术研发人员：陶彪，
申请(专利权)人：株洲三一硅能技术有限公司，
类型：新型
国别省市：
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