一种超短脉冲飞秒碟片激光器制造技术

本发明专利技术公开了一种超短脉冲飞秒碟片激光器，属于碟片激光器领域，包括：泵浦源，碟片激光晶体，泵浦模块和谐振腔；泵浦模块使泵浦源发出的泵浦激光多次穿过碟片激光晶体后激发产生振荡激光；谐振腔中，第一分支包括沿光路依次设置的消色散单元和端镜；振荡激光沿第一分支传输至端镜后沿原路返回至碟片激光晶体，并被反射至至第二分支；第二分支包括沿光路依次设置的第一凹面镜、非线性晶体、第二凹面镜和输出镜；非线性晶体掺杂了Yb<supgt;3+</supgt;，用于抑制1030nm激光的产生并形成克尔效应；振荡激光沿第二分支传输至输出镜后，部分输出，部分沿原路返回至碟片激光晶体，并被反射至第一分支。本发明专利技术结构简单、能量损耗低，可产生百飞秒量级以下超短脉冲序列。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于碟片激光器领域，更具体地，涉及一种超短脉冲飞秒碟片激光器。

技术介绍

1、镱离子（yb3+）掺杂的激光材料是高功率超快激光领域最为重要的增益介质之一，主要原因为：1.yb3+不存在激发态吸收、上能级转化等现象，避免了有效发射截面的内部效应，提高能量的利用率；2. yb3+掺杂的材料没有浓度猝灭现象，因此支持高浓度的离子掺杂；3. yb3+掺杂材料的强吸收谱线位于940nm和980nm附近，非常适合高功率高亮度的ingaas半导体光源直接泵浦；4. yb3+掺杂材料上能级寿命长，利于存储能量；5. yb3+材料量子效率高，从根本上减少了热的产生，有利于产生高功率的激光。

2、yb:yag晶体的增益谱线有两个发射峰，主发射峰位于1030nm波长处，发射带宽约为9nm，相应的吸收截面为2.1×10-20cm2，次发射峰位于1060nm附近，具有约40nm的带宽，相应的吸收截面是0.3×10-20cm2。通常情况下，yb:yag激光器产生的激光脉冲均位于1030nm处，但其9nm的荧光谱宽的相应的傅里叶变换极限脉宽为120fs，无法产生f本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种超短脉冲飞秒碟片激光器，其特征在于，包括：泵浦源（1），碟片激光晶体（2），泵浦模块（3）和谐振腔（4）；

2.如权利要求1所述的超短脉冲飞秒碟片激光器，其特征在于，所述非线性晶体为Yb:YAG片。

3.如权利要求2所述的超短脉冲飞秒碟片激光器，其特征在于，所述Yb:YAG片表面两侧镀有对1060nm波段的增透膜，透过率大于99.9%，且所述Yb:YAG片的厚度小于3mm。

4.如权利要求3所述的超短脉冲飞秒碟片激光器，其特征在于，所述Yb:YAG片垂直于光路设置。

5.如权利要求4所述的超短脉冲飞秒碟片激光器，其特征在于，所述Yb...

【技术特征摘要】

1.一种超短脉冲飞秒碟片激光器，其特征在于，包括：泵浦源（1），碟片激光晶体（2），泵浦模块（3）和谐振腔（4）；

2.如权利要求1所述的超短脉冲飞秒碟片激光器，其特征在于，所述非线性晶体为yb:yag片。

3.如权利要求2所述的超短脉冲飞秒碟片激光器，其特征在于，所述yb:yag片表面两侧镀有对1060nm波段的增透膜，透过率大于99.9%，且所述yb:yag片的厚度小于3mm。

4.如权利要求3所述的超短脉冲飞秒碟片激光器，其特征在于，所述yb:yag片垂直于光路设置。

5.如权利要求4所述的超短脉冲飞秒碟片激光器，其特征在于，所述yb:yag片中，yb3+的掺杂浓度为7%。

6.如权利要求1~5任一项所述的超短脉冲飞秒碟片激光器，其特征在于，所述消色散单元包括沿...

【专利技术属性】
技术研发人员：张金伟，杨婷婷，刘贺言，郝婧婕，
申请(专利权)人：华中科技大学，
类型：发明
国别省市：