一种基于等离子体的槽类阵列零件的调整方法、系统及装置制造方法及图纸

技术编号:42953929 阅读:16 留言:0更新日期:2024-10-11 16:10
本发明专利技术提供了一种基于等离子体的槽类阵列零件的调整方法、系统及装置,包括:确定具有槽型阵列的待加工样品的初始形态;基于初始形态、预设目标形态以及大气等离子体的各向同性刻蚀特性确定控制加工参数;基于控制加工参数控制对槽型阵列的各不同区域喷射大气等离子体,以对被喷射区域进行刻蚀,使待加工样品形成预设目标形态。本发明专利技术通过射频电源控制电极产生高频交变电场,从而生成大气等离子体,在磨削工艺制作成直线排布的V槽阵列的基础上,基于大气等离子体的各向同性刻蚀特性通过大气等离子体在V槽阵列上的不同位置控制驻留时间,对V槽的相对高度进行调整,使其变成抛物线排列,可面向曲面光纤阵列定位基片产品应用,提高了生产效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及槽类零件加工,特别涉及一种基于等离子体的槽类阵列零件的调整方法、系统及装置


技术介绍

1、随着高精度零件在光学、医疗、汽车等领域的应用越来越广泛,对于精密加工技术的需求也在不断增加。微结构阵列由于其独特的工程性能,具有广泛的应用前景,微v型槽作为一种十分重要的微结构之一,广泛应用于光纤定位、照相机的闪光灯系统、细胞迁移等方面,这对于精密v型槽的制作提出了很高的制作需求。大气等离子体加工作为一种新型的加工技术被提出,其材料去除原理基于化学刻蚀作用,该加工方法基于化学反应,不引入亚表面损伤,并且该加工方法在大气环境下进行,设备简单,成本较低,同时具备较高的加工效率,具备广泛的应用前景。

2、目前大部分研究基于金刚石磨削和湿法刻蚀实现v槽成形的加工技术,都关注在相同深度的v槽阵列加工,未对变深度的v槽阵列加工进行深入的探索。


技术实现思路

1、有鉴于此,本专利技术提出了一种基于等离子体的槽类阵列零件的调整方法、系统及装置,具体方案如下:

2、第一部分,本申请提出了一种基于等离本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种基于等离子体的槽类阵列零件的调整方法,其特征在于,包括:

2.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述“基于所述控制加工参数控制对所述槽型阵列的各不同区域喷射所述大气等离子体,以对被喷射区域进行刻蚀”包括:

3.如权利要求1或2所述的方法,其特征在于,所述大气等离子体是通过氦气作为激发气体,并通过四氟化碳和氧气作为反应气体在高频交变电场中激发得到的。

4.如权利要求1所述的方法,其特征在于,还包括:

5.如权利要求1或4所述的方法,其特征在于,所述待加工样品的槽型包括:V形槽或弧形槽或矩形槽;

6.如权利要求1所述的方法...

【技术特征摘要】

1.一种基于等离子体的槽类阵列零件的调整方法,其特征在于,包括:

2.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述“基于所述控制加工参数控制对所述槽型阵列的各不同区域喷射所述大气等离子体,以对被喷射区域进行刻蚀”包括:

3.如权利要求1或2所述的方法,其特征在于,所述大气等离子体是通过氦气作为激发气体,并通过四氟化碳和氧气作为反应气体在高频交变电场中激发得到的。

4.如权利要求1所述的方法,其特征在于,还包括:

5.如权利要求1或4所述的方法,其特征在于,所述待加工样品的槽型包括:v形槽或弧形槽或矩形槽;

6.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述控制加工参数包括:对应槽型阵列中不同位置的驻留时间;

7.如权利要求1或6所述的方法,其特征在于,所述控制加工参数包括:对应不同槽型阵列位置的所述大气等离...

【专利技术属性】
技术研发人员:邓辉张浚祈陈至贤詹泽锦
申请(专利权)人:南方科技大学
类型:发明
国别省市:

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