金属层的制备方法、得到的产品及芯片制造方法技术

一种金属层结构的制备方法、得到的产品及芯片制造方法，属于半导体制造工艺领域。所述金属层结构的图形化制备方法包括：在基底上形成第一可剥离介质层；在其上形成第二可剥离介质层；对两个可剥离介质层图案化，形成“檐”状双层剥离结构；在双层剥离结构上形成金属层；去除双层剥离结构，得厚度为0.1～50微米的目标金属层结构。本发明专利技术解决了厚金属层图形化的高精度难题，具备工艺成本低、工艺窗口大、工艺精度高、无需苛刻的光刻工艺要求等优势，极大提升了厚金属层图形化的工艺良率、简化了工艺流程。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造工艺领域，具体涉及半导体芯片金属层结构的图形化制备方法、采用其制备得到的产品及包含其的芯片制造方法。

技术介绍

1、在大功率半导体领域，金属层作为芯片元胞的电极及多元胞并联或串联的互联导通结构，其通流能力对于器件的性能至关重要，甚至决定器件的安全工作范围。随着功率器件通流设计越来越大，目前针对金属层的设计主要朝着两种方向发展，一种是采用导电能力更强的金属材料，如银、金以及其它合金等，另一种是不断扩大金属层的尺寸参数，考虑到芯片中的其它图形结构越来越精细，因此更多的是考虑金属层厚度以增加通流能力。

2、传统的金属层图形化技术，通常采用刻蚀、腐蚀等工艺。其中刻蚀工艺对于厚金属的图形化过程，尽管工艺精度很高，可以达到亚微米级，但工艺质量并不高，尤其是刻蚀区域会出现金属颗粒沉积发黑、刻蚀形貌出现倒梯形等工艺异常；另外腐蚀工艺对于厚金属的图形化过程，尽管工艺效率很高、而且工艺质量也较好，但是存在横向腐蚀严重、金属残留等问题，因此工艺精度无法满足精细化要求。

3、在半导体领域，金属剥离工艺被广泛应用于半导体芯片制造中的电本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种金属层的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述基底的材质为硅、碳化硅、氮化镓、砷化镓和Ⅲ-Ⅳ化合物中的任意一种；和/或

3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述目标金属层的厚度为10～20微米；和/或

4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述第一可剥离介质为有机胶、有机膜或氧化物介质。

5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述第一可剥离介质为高粘度非光敏PI胶、PI干膜、水溶性高分子膜、油溶性高分子膜或醇溶性高分子膜。

6.根据权利要求1所述...

【技术特征摘要】

1.一种金属层的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述基底的材质为硅、碳化硅、氮化镓、砷化镓和ⅲ-ⅳ化合物中的任意一种；和/或

3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述目标金属层的厚度为10～20微米；和/或

4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述第一可剥离介质为有机胶、有机膜或氧化物介质。

5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述第一可剥离介质为高粘度非光敏pi胶、pi干膜、水溶性高分子膜、油溶性高分子膜或醇溶性高分子膜。

6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第一可剥离介质层的厚度至少比目标金属层厚度大1倍，不均匀性≤20％；和/或

7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：魏晓光，吴沛飞，李玲，刘瑞，王耀华，焦倩倩，张语，姬世宇，王凝一，孙宁飞，霍新宇，
申请(专利权)人：北京怀柔实验室，
类型：发明
国别省市：