【技术实现步骤摘要】
本技术涉及低压化学气相沉积设备,尤其涉及低压化学气相沉积设备清洗系统。
技术介绍
1、通常采用卧式lpcvd(low pressure cvd,低压化学气相沉积)设备实现topcon(tunnel oxide passivated contact,隧穿氧化层钝化接触)等电池隧穿氧化层和本征多晶硅的镀膜工艺。lpcvd设备包括炉管,lpcvd设备在沉积过程中,炉管内壁会沉积一层硅类薄膜,且随着工艺次数的增多,硅类薄膜会越来越厚,从而影响镀膜质量。
2、目前,炉管内壁沉积的硅类薄膜清洗的方式为:先将炉管从lpcvd设备中拆卸下来,之后采用hf酸(氢氟酸)或hf酸加hno3(硝酸)腐蚀炉管内壁,然后用大量去离子水冲洗,之后还需进行烘干。然而,上述清洗过程复杂,通常一根炉管的清洗周期可以达到15天,清洗效率低,且费时费力。
技术实现思路
1、本技术提供一种低压化学气相沉积设备清洗系统及切割设备,旨在至少解决现有技术中lpcvd设备中的炉管清洗效率低的问题。
2、本技术实施例
...【技术保护点】
1.一种低压化学气相沉积设备清洗系统,其特征在于,包括低压化学气相沉积设备和与所述低压化学气相沉积设备相连的清洗装置,所述低压化学气相沉积设备包括炉管;
2.根据权利要求1所述的低压化学气相沉积设备清洗系统,其特征在于,所述感应线圈设置在所述炉管内部,所述感应线圈的两端穿过所述炉管与所述电源电连接。
3.根据权利要求1所述的低压化学气相沉积设备清洗系统,其特征在于,所述感应线圈沿所述炉管的长度方向绕设在所述炉管的外壁上。
4.根据权利要求1至3任一项所述的低压化学气相沉积设备清洗系统,其特征在于,所述清洗装置还包括所述电源和所述清洗
...【技术特征摘要】
1.一种低压化学气相沉积设备清洗系统,其特征在于,包括低压化学气相沉积设备和与所述低压化学气相沉积设备相连的清洗装置,所述低压化学气相沉积设备包括炉管;
2.根据权利要求1所述的低压化学气相沉积设备清洗系统,其特征在于,所述感应线圈设置在所述炉管内部,所述感应线圈的两端穿过所述炉管与所述电源电连接。
3.根据权利要求1所述的低压化学气相沉积设备清洗系统,其特征在于,所述感应线圈沿所述炉管的长度方向绕设在所述炉管的外壁上。
4.根据权利要求1至3任一项所述的低压化学气相沉积设备清洗系统,其特征在于,所述清洗装置还包括所述电源和所述清洗气体供给器均相连的控制机,所述清洗气体供给器用于提供清洗气体至所述炉管内,所述控制机用于调控所述清洗气体参数和所述电源的参数。
5.根据权利要求1至3任一项所述的低压化学气相沉积设备清洗系统,其特征在于,所述清洗装置还包括与所述电源相连的阻抗匹配器。
6.根据权利要求4所述的低压化学气相沉积设...
【专利技术属性】
技术研发人员:邱永宁,李广旭,杨乐,陈博,姚亮博,韩晓兰,刘学文,
申请(专利权)人:隆基绿能科技股份有限公司,
类型:新型
国别省市:
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