半导体结构及其制造方法技术

本申请涉及一种半导体结构及其制造方法。该半导体结构包括第一芯片；第一芯片设置有第一焊盘；第二芯片；第二芯片设置有第二焊盘及金属凸块；金属凸块位于第二焊盘远离第二芯片的表面，且与第一焊盘键合；绝缘层，位于第一芯片与第二芯片之间；绝缘层内具有第一空腔及第二空腔，第一空腔位于第一焊盘的外围，第二空腔位于金属凸块的外围，第一空腔与第二空腔相连通，以共同构成空腔；其中，金属凸块填满空腔。该半导体结构能够避免相邻金属凸块之间短路现象的发生，同时还能够避免金属凸块局部塌陷的问题。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及半导体制造，特别是涉及一种半导体结构及其制造方法。

技术介绍

1、随着人们对电子产品的要求向小型化、多功能化发展，封装技术也向着高密度、高集成化的方向发展。例如，将至少两个芯片(die，也称裸片)基于凸块(bump)进行三维堆叠(3-dimension stack，简称3ds)封装。

2、然而，随着互连密度的提高，芯片的凸块之间变得容易短路，因此，如何防止凸块间短路是现阶段亟需解决的技术问题。

技术实现思路

1、基于此，有必要针对现有技术中的不足之处，提供一种半导体结构及其制造方法。

2、一方面，本申请提供了一种半导体结构，包括：

3、第一芯片；所述第一芯片设置有第一焊盘；

4、第二芯片；所述第二芯片设置有第二焊盘及金属凸块；所述金属凸块位于所述第二焊盘远离所述第二芯片的表面，且与所述第一焊盘键合；

5、绝缘层，位于所述第一芯片与所述第二芯片之间；所述绝缘层内具有第一空腔及第二空腔，所述第一空腔位于所述第一焊盘的外围，所述第二空腔位于所述金本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一空腔的底面高于所述第一焊盘与所述第一芯片之间的接触面。

3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述第二空腔的底面与所述金属凸块远离所述第二焊盘的表面的间距小于所述金属凸块的高度。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体结构，其特征在于，所述绝缘层的硬度小于无机绝缘层的硬度，所述绝缘层的材质包括聚合物；

5.根据权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，所述第一绝缘层和所述第二绝缘层之间还设置有：吸气材料层；所述吸气材料层的硬度小于所述...

【技术特征摘要】

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一空腔的底面高于所述第一焊盘与所述第一芯片之间的接触面。

3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述第二空腔的底面与所述金属凸块远离所述第二焊盘的表面的间距小于所述金属凸块的高度。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体结构，其特征在于，所述绝缘层的硬度小于无机绝缘层的硬度，所述绝缘层的材质包括聚合物；

5.根据权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，所述第一绝缘层和所述第二绝缘层之间还设置有：吸气材料层；所述吸气材料层的硬度小于所述绝缘层的硬度。

6.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述绝缘层包括：

7.根据权利要求6所述的半导体结构，其特征在于，所述第二空腔包括：

8.根据权利要求6所述的半导体结构，其特征在于，所述第二绝缘层接触部分所述金...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘莹，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：