【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种代码产生装置及代码产生方法，更具体地说，涉及一种物理不可复制函数代码产生装置及物理不可复制函数代码的产生方法。
技术介绍
1、在制造过程期间发生的物理变化称为物理不可复制函数(physical unclonablefunction，puf)。由于在制造过程期间的物理变化是随机的且不可预测的，基于puf所生成的随机代码具有随机的且唯一的特性。因此，puf可应用于宽广范围的应用，例如组件身份、安全性、认证。
2、于现有技术中，已知对既有的闪存改变编程或抹除操作所使用的参数或方法，来放大闪存不同生产制程所确定的穿隧氧化层厚度产生的随机电子噪声。然而既有的闪存具有稳定的特性，为了放大既有的闪存中的随机电子噪声，现有技术需要使用复杂的电路或流程来实现改变编程或抹除操作所使用的参数或方法，从而不利于微型化与随机性。
3、近来随着对产生随机代码的需求的增长，相关应用领域的业者对有效地生成puf代码的创新设计的需求亦增长。
技术实现思路
1、本专利技术提供一种pu...
【技术保护点】
1.一种物理不可复制函数代码产生装置，包括：
2.根据权利要求1所述的PUF代码产生装置，其中所述多个第一内存晶胞是或非门闪存晶胞。
3.根据权利要求2所述的PUF代码产生装置，其中所述PUF代码存储组件包括多个第二内存晶胞，所述多个第二内存晶胞是电阻式内存晶胞。
4.根据权利要求1所述的PUF代码产生装置，其中所述第一内存晶胞的所述穿隧氧化层通过第一制程制作，以使所述转角比值小于0.99，且所述第一制程包括：
5.根据权利要求4所述的PUF代码产生装置，其中所述穿隧氧化层的所述第二厚度介于140埃至240埃。
<...【技术特征摘要】
1.一种物理不可复制函数代码产生装置，包括：
2.根据权利要求1所述的puf代码产生装置，其中所述多个第一内存晶胞是或非门闪存晶胞。
3.根据权利要求2所述的puf代码产生装置，其中所述puf代码存储组件包括多个第二内存晶胞，所述多个第二内存晶胞是电阻式内存晶胞。
4.根据权利要求1所述的puf代码产生装置，其中所述第一内存晶胞的所述穿隧氧化层通过第一制程制作，以使所述转角比值小于0.99，且所述第一制程包括：
5.根据权利要求4所述的puf代码产生装置，其中所述穿隧氧化层的所述第二厚度介于140埃至240埃。
6.根据权利要求1所述的puf代码产生装置，其中所述第一内存晶胞的所述穿隧氧化层通过第二制程制作，以使所述转角比值小于0.99，且所述第二制程包括：
7.根据权利要求1所述的puf代码产生装置，其中所述第一内存晶胞的所述穿隧氧化层通过第三制程制作，以使所述转角比值小于0.99，且所述第三制程包括：
8.根据权利要求1所述的puf代码产生装置，其...
【专利技术属性】
技术研发人员：吴伯伦，许博砚，陈宜秀，
申请(专利权)人：华邦电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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