【技术实现步骤摘要】
本公开的实施例总体上涉及半导体制造领域，并且特别地涉及具有前侧金属互连层和后侧金属互连层的晶体管层。
技术介绍
1、虚拟机、云计算和便携式装置的持续增长将继续增加对芯片和封装之内高密度晶体管层的需求。另外，对通往晶体管层两侧用于电力和信号二者的高质量互连的需求将会增加。
技术实现思路
【技术保护点】
1.一种设备，包括：
2.根据权利要求1所述的设备，还包括：
3.根据权利要求1或2所述的设备，还包括所述第一层和所述第三层之间的键合层，其中，所述第二多个接触部中的所述至少一个穿过所述键合层延伸。
4.根据权利要求1或2所述的设备，其中，所述第一多个接触部与所述多个晶体管的所述第一集合直接电耦接，并且其中，所述第二多个接触部与所述多个晶体管的所述第二集合直接电耦接。
5.根据权利要求1或2所述的设备，其中，所述第二层是前侧互连金属层结构的一部分，并且其中，所述第三层是后侧互连金属层结构的一部分。
6.根据权...
【技术特征摘要】
1.一种设备，包括：
2.根据权利要求1所述的设备，还包括：
3.根据权利要求1或2所述的设备，还包括所述第一层和所述第三层之间的键合层，其中，所述第二多个接触部中的所述至少一个穿过所述键合层延伸。
4.根据权利要求1或2所述的设备，其中，所述第一多个接触部与所述多个晶体管的所述第一集合直接电耦接，并且其中，所述第二多个接触部与所述多个晶体管的所述第二集合直接电耦接。
5.根据权利要求1或2所述的设备，其中，所述第二层是前侧互连金属层结构的一部分，并且其中，所述第三层是后侧互连金属层结构的一部分。
6.根据权利要求1或2所述的设备，其中，所述第一多个接触部中的所述至少一个包括第一金属过孔，并且其中，所述第二多个接触部中的所述至少一个包括第二金属过孔。
7.根据权利要求1或2所述的设备，其中，所述第一多个接触部或所述第二多个接触部包括铜、钴、钼、钌或钨中的选定一种或多种。
8.根据权利要求1或2所述的设备，其中，所述多个晶体管的所述第一集合和所述多个晶体管的所述第二集合是不同集合。
9.一种封装组件，包括：
10.根据权利要求9所述的封装组件，还包括所述第一层和所述第三层之间的键合层，其中，所述第二多个接触部中的至少一个穿过所述键合层延伸。
11.根据权利要求9...
【专利技术属性】
技术研发人员：E·曼内巴赫，S·米尔斯，J·迪西尔瓦，M·J·科布林斯基，
申请(专利权)人：英特尔公司，
类型：发明
国别省市：
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