一种交变磁场辅助抑制WC硬质相沉积的激光熔覆工艺方法技术

本发明专利技术涉及一种交变磁场辅助抑制WC硬质相沉积的激光熔覆工艺方法，包括：1)制备Ni基WC混合粉末；2)对基体表面进行打磨、去除表面氧化层及清洗；3)辅助磁场装置的调节；4)采用激光熔覆方法在基体表面熔覆Ni基WC混合粉末，在基体表面形成Ni基WC陶瓷颗粒合金硬质涂层。本发明专利技术在激光熔覆过程中引入交变磁场，优化涂层的晶粒结构，控制WC颗粒在熔池中的分布和定向生长，改善WC陶瓷颗粒的沉降现象，增强熔覆层的硬度和耐磨性，提升熔覆层的整体质量；对于提高工业部件的耐磨性能、延长其使用寿命具有重要的应用价值和实际意义。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及金属材料表面改性，尤其涉及一种交变磁场辅助抑制wc硬质相沉积的激光熔覆工艺方法。

技术介绍

1、随着全球产业竞争日益激烈和科技的飞速发展，各行各业对高性能材料的需求愈发强烈。尤其在钢铁冶金、机械、汽车制造等领域，材料性能的优化已成为当务之急。这些行业的产品零部件常需要在极端环境条件下运行，如高温、高压、高速或高摩擦等，极易造成零部件失效，引发重大安全事故。因此，运用先进的表面强化技术提升材料的使用寿命和性能，成为当前国内外研究的热点。

2、激光熔覆是一种先进的表面改性技术，具有重要的工业应用价值。该技术利用高能激光束照射基体和粉末，形成冶金结合的熔覆层。随着激光熔覆技术的发展，ni基wc复合材料因其优异的抗磨损性而成为重要的熔覆材料。wc颗粒具有极高的硬度和抗磨性，ni基材料具有良好的塑性和抗腐蚀性。实践表明，将ni基wc颗粒熔覆到金属表面，可有效提升材料的性能。

3、然而，采用传统激光熔覆工艺时如何实现wc硬质相的均匀分布仍是一个技术挑战。在激光熔覆ni基wc过程中，wc的熔点高，不易融化，未融化的wc陶瓷颗粒由于密本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种交变磁场辅助抑制WC硬质相沉积的激光熔覆工艺方法，其特征在于，包括如下步骤：

2.根据权利要求1所述的一种交变磁场辅助抑制WC硬质相沉积的激光熔覆工艺方法，其特征在于，所述步骤1)中，Ni基自溶性合金粉末的成分按照质量百分比计为C:0.58％～0.61％；Si:4.26％～4.31％；Mn:0.18％～0.2％；Cu:5.27％～5.32％；Cr:16.4％～16.5％；B:3.19％～3.22％；Fe:10.6％～10.62％；余量为Ni；WC粉末的成分按照质量百分比计为W:94％～95％，余量为C。

3.根据权利要求1所述的一种交变磁场辅助抑制WC硬质...

【技术特征摘要】

1.一种交变磁场辅助抑制wc硬质相沉积的激光熔覆工艺方法，其特征在于，包括如下步骤：

2.根据权利要求1所述的一种交变磁场辅助抑制wc硬质相沉积的激光熔覆工艺方法，其特征在于，所述步骤1)中，ni基自溶性合金粉末的成分按照质量百分比计为c:0.58％～0.61％；si:4.26％～4.31％；mn:0.18％～0.2％；cu:5.27％～5.32％；cr:16.4％～16.5％；b:3.19％～3.22％；fe:10.6％～10.62％；余量为ni；wc粉末的成分按照质量百分比计为w:94％～95％，余量为c。

3.根据权利要求1所述的一种交变磁场辅助抑制wc硬质相沉积的激光熔覆工艺方法，其特征在于，所述步骤1)中，ni基wc混合粉末及wc粉末的粒径均为100～300μm。

4.根据权利要求1所述的一种交变磁场辅助抑制wc硬质相沉积的激光熔覆工艺方法，其特征在于，所述步骤1)中，球磨的过程是将两种粉末置于球磨机中，设定倾角为65°～80°，在300rpm的转速下混合10～15h，球磨后ni基wc混合粉末的粒径为50～150μm。

5.根据权利要求1所述的一种交变磁场辅助抑制wc硬质相沉积的激光熔覆工艺方法，其特征在于，所述步骤2)中，采用角磨机配合150#～300#砂纸对基体表面进行打磨，然后通过酸洗去除基体表面的氧化层，最后用溶剂清洗基体表面。

6.根据权利要求1所述的一种交变磁场辅助抑制wc硬质相沉积的激光熔覆工艺方法，其特征在于，所述步骤3)中，辅助磁场装置由2个交变磁场发生器...

【专利技术属性】
技术研发人员：李昌，冯磊，孙韩，李思语，王璇，韩兴，
申请(专利权)人：辽宁科技大学，
类型：发明
国别省市：