一种用于电助光催化抛光大尺寸金刚石的抛光盘制造技术

本发明专利技术公开了一种用于电助光催化抛光大尺寸金刚石的抛光盘，包括支撑盘、接触盘、光源、过孔式电液滑环、电源供应部件和液体供应部件。抛光盘为中空式抛光盘，上表面设置有许多通孔且上表面设置有多圈环槽；光源设置在抛光盘中间，光源发出的光照射范围为待抛光金刚石的待抛光面；过孔式电液滑环设置在抛光盘上方，向抛光盘供应电源和液体并传递运动；液体供应部分，用于向光源提供冷却液并回收废液；在抛光过程中，待抛光金刚石的待抛光面浸润在抛光液中；光源发出的光照射在待抛光表面，同一时刻发生氧化反应以及抛光垫对金刚石表面的研磨反应。本发明专利技术实施例可以提高金刚石的材料去除率和表面质量。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造，尤其涉及一种用于电助光催化抛光大尺寸金刚石的抛光盘。

技术介绍

1、金刚石具有良好的力学性能，其摩擦系数极低（0.08~0.1），天然状态的硬度最高（100gpa），并且具有耐磨性好、化学稳定性良好、导热系数高（2×103w/(m·k)）、电阻大（>1013ω·cm）、透射率高等优点。大尺寸单晶金刚石应用的前提是其具有超光滑的表面和较高的平整度，而原始生长面的单晶金刚石表面粗糙度通常在几百纳米至数微米,无法直接用于半导体衬底或者器件领域。因此，高效的磨削、抛光技术成为大尺寸单晶金刚石产业化应用的前提。

2、目前，全球90%以上的电子器件都采用硅。由于电子器件的功率越来越大，而单晶硅的性能决定了它不能在高频大功率、高温工作环境下工作。然而，金刚石不仅具有极低的介电常数，而且其禁带宽、载流子迁移率高、热导高、击穿电压高，金刚石掺杂适量的硼原子可半导体化，这使其成为优异的半导体材料，如金刚石半导体可以在600℃的高温下进行工作，是硅半导体的2倍，工作频率可达到81ghz，可应用于微波、毫米波段超高速计算机芯片等领域，被本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种用于电助光催化抛光大尺寸金刚石的抛光盘，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的一种用于电助光催化抛光大尺寸金刚石的抛光盘，其特征在于，所述抛光盘的支撑盘和接触盘胶接固定，两盘上的通孔一一对应。

3.根据权利要求1所述的一种用于电助光催化抛光大尺寸金刚石的抛光盘，其特征在于，还包括：过孔式电液滑环，设置于所述支撑盘上方，用于向所述抛光盘传送液体、电流和运动，所述过孔式电液滑环液体通路为两进两出，可允许两种液体通过。

4.根据权利要求1所述的一种用于电助光催化抛光大尺寸金刚石的抛光盘，其特征在于，所述抛光液为P25型纳米TiO2光催化剂抛光液...

【技术特征摘要】

1.一种用于电助光催化抛光大尺寸金刚石的抛光盘，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的一种用于电助光催化抛光大尺寸金刚石的抛光盘，其特征在于，所述抛光盘的支撑盘和接触盘胶接固定，两盘上的通孔一一对应。

3.根据权利要求1所述的一种用于电助光催化抛光大尺寸金刚石的抛光盘，其特征在于，还包括：过孔式电液滑环，设置于所述支撑盘上方，用于向所述抛光盘传送液体、电流和运动，所述过孔式电液滑环液体通路为两进两出，可允许两种液体通过。

4.根据权利要求1所述的一种用于电助光催化抛光大尺寸金刚石的抛光盘，其特征在于，所述抛光液为p25型纳米tio2光催化剂抛光液、5nm型tio2光催化剂抛光液、氧化铈和氧化锆中任意...

【专利技术属性】
技术研发人员：苑泽伟，王利娜，郭英琦，桑明杰，成志辉，
申请(专利权)人：沈阳工业大学，
类型：发明
国别省市：