【技术实现步骤摘要】
本公开的实施例涉及集成电路，特别地，涉及用于倒装芯片的封装结构及封装方法。
技术介绍
1、将制作有集成电路的晶片进行倒装封装是集成电路封装方式的一种。对于需要处理较大功率的集成电路晶片，散热性能是需要重点考虑的一个设计指标。目前将集成电路晶片进行倒装封装时，采用将晶片用塑封材料包裹后再将晶片背面的塑封材料去除以将晶片背面裸露的方式以改善散热效果，然而晶片背面裸露则在储存或运输过程中受损的风险增加。
技术实现思路
1、本公开一方面提出了一种集成电路芯片(ic)封装结构，可以包括：集成电路晶片，具有晶片第一表面和与该晶片第一表面相对的晶片第二表面，该晶片第一表面上制作有多个金属柱；绕线基板，其具有基板第一表面和与该基板第一表面相对的基板第二表面，所述集成电路晶片的晶片第一表面朝向该基板第二表面焊接于该绕线基板上；底部填充材料，填充该集成电路晶片的晶片第一表面与所述基板第二表面之间的间隙；以及背面保护膜，直接黏贴于该集成电路晶片的晶片第二表面，该背面保护膜包括一层或多层粘合剂薄膜。
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【技术保护点】
1.一种倒装芯片封装单元，包括：
2.如权利要求1所述的倒装芯片封装单元，其中该背面保护膜不同于塑封材料或环氧树脂。
3.如权利要求1所述的倒装芯片封装单元，其中所述背面保护膜的热膨胀系数、收缩率和弹性模量与所述集成电路晶片的晶片第二表面材质相匹配。
4.如权利要求1所述的倒装芯片封装单元，其中所述背面保护膜的热膨胀系数在5-200的范围。
5.如权利要求1所述的倒装芯片封装单元，其中所述背面保护膜的收缩率可以在0.1％-0.6％的范围。
6.如权利要求1所述的倒装芯片封装单元，其中所述背面保护膜的潮湿敏感等
<...【技术特征摘要】
1.一种倒装芯片封装单元，包括：
2.如权利要求1所述的倒装芯片封装单元，其中该背面保护膜不同于塑封材料或环氧树脂。
3.如权利要求1所述的倒装芯片封装单元，其中所述背面保护膜的热膨胀系数、收缩率和弹性模量与所述集成电路晶片的晶片第二表面材质相匹配。
4.如权利要求1所述的倒装芯片封装单元，其中所述背面保护膜的热膨胀系数在5-200的范围。
5.如权利要求1所述的倒装芯片封装单元，其中所述背面保护膜的收缩率可以在0.1％-0.6％的范围。
6.如权利要求1所述的倒装芯片封装单元，其中所述背面保护膜的潮湿敏感等级为一级。
7.如权利要求1所述的倒装芯片封装单元，其中所述背面保护膜的厚度小于100μm。
8.如权利要求1所述的倒装芯片封装单元，其中所述背面保护膜的厚度在25μm到50μm的范围。
9.如权利要求1所述的倒装芯片封装单元，其中所述背面保护膜在uv光照射前进行加热烘烤使其与所述晶片第二表面更好地黏合。
10.如权利要求1所述的倒装芯片封装单元，其中所述特性变更至少包括该背面保护膜从非固态变为固态且与所述集成电路晶片之间的黏性不降低但与所述粘合胶带的胶带基层之间的黏性快速降低。
11.如权利要求1所述的倒装芯片封装单元，其中所述背面保护膜的导热率可以在0.5w/(m·k)到10w/(m·k)的范围。
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【专利技术属性】
技术研发人员：蒲应江，蒋航，郭秀宏，
申请(专利权)人：成都芯源系统有限公司，
类型：发明
国别省市：
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