【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，具体为一种可浸润的封装结构的制备方法及封装结构。
技术介绍
1、目前，随着半导体器件目前越来越多地应用在汽车行业应用，针对引线框架类封装的产品，在smt焊接时只有底面和电路板接触形成焊接，焊接端子与电路板接触面积较小，焊接牢度不足，导致产品板级可靠性失效。
2、随着半导体器件目前越来越多地应用在汽车行业应用，已经对连接端子的结构进行了改变，需要通过人工用刀片两次切割，在引线框架焊接端子的侧面形成一个台阶，但是受限于切割深度精度以及产品翘曲影响，目前只能对较厚框架的产品(目前量产框架厚度基本是0.203mm)进行加工，无法通过人工对较薄的框架及对应的封装产品进行切割，使得在切割时，由于框架厚度较薄，会将框架完全切断，导致无法在引脚端子侧面形成台阶，从而导致焊接端子与电路板接触面积较小，焊接牢度不足，导致产品板级可靠性失效。
技术实现思路
1、为了克服上述现有技术存在的缺陷，本专利技术的目的在于提供一种可浸润的封装结构的制备方法及封装结构，以解决现有技术中无法...
【技术保护点】
1.一种可浸润的封装结构的制备方法，其特征在于，包括如下过程：
2.根据权利要求1所述的一种可浸润的封装结构的制备方法，其特征在于，所述步骤1中，在载板(10)表面上附着一层第一掩膜材料(11)，对第一掩膜材料(11)通过处理形成若干引脚连接端子(4)和基岛(9)的初步图形，根据若干引脚连接端子(4)和基岛(9)的初步图形再制作出若干引脚连接端子(4)和基岛(9)的下表面，其中处理过程如下：
3.根据权利要求2所述的一种可浸润的封装结构的制备方法，其特征在于，形成若干引脚连接端子(4)和基岛(9)的下表面后，在载板(10)上对部分多段式的第一掩...
【技术特征摘要】
1.一种可浸润的封装结构的制备方法，其特征在于，包括如下过程：
2.根据权利要求1所述的一种可浸润的封装结构的制备方法，其特征在于，所述步骤1中，在载板(10)表面上附着一层第一掩膜材料(11)，对第一掩膜材料(11)通过处理形成若干引脚连接端子(4)和基岛(9)的初步图形，根据若干引脚连接端子(4)和基岛(9)的初步图形再制作出若干引脚连接端子(4)和基岛(9)的下表面，其中处理过程如下：
3.根据权利要求2所述的一种可浸润的封装结构的制备方法，其特征在于，形成若干引脚连接端子(4)和基岛(9)的下表面后，在载板(10)上对部分多段式的第一掩膜材料(11)进行曝光、显影，去除部分多段式的第一掩膜材料(11)。
4.根据权利要求1所述的一种可浸润的封装结构的制备方法，其特征在于，所述步骤2中，根据若干引脚连接端子(4)和基岛(9)的下表面在载板(10)上进行处理形成制作出连接端子(4)和基岛(9)的上表面，具体过程如下：
5.根据权利要求2或4所述的一种可浸润的封装结构的制备方法，其特征在于，所述金属电镀所采用的材料包括金、钯、镍、铜或银。
6.根据权利要求1所述的一...
【专利技术属性】
技术研发人员：郭玲芝，李万霞，吕海兰，郭小伟，
申请(专利权)人：华天科技西安有限公司，
类型：发明
国别省市：
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