一种双向变换器对顶电路及其控制方法技术

技术编号:42881996 阅读:30 留言:0更新日期:2024-09-30 15:05
本发明专利技术涉及一种双向变换器对顶电路及其控制方法,该对顶电路包括:主功率电路,主功率电路包括MOS管Q8、MOS管Q10及双向电路拓扑;控制电路,包括开关电路、过流检测电路,开关电路包括平衡电阻;当输入驱动信号为高电平时,开关电路控制主功率电路的MOS管Q8、MOS管Q10导通;当输入驱动信号为低电平时,通过调节平衡电阻的阻值高低来控制主功率电路中MOS管Q8、MOS管Q10的通断;过流检测电路用于检测主功率电路的电流,当主功率电路的电流超过预设定值时,开关电路控制主功率电路中MOS管Q8、MOS管Q10的通断。本发明专利技术响应速度快,导通无延时,具备实时过流监测功能,通过采用电流源和达林顿管原理,降低了控制电路功率损耗,极大增强了抗干扰能力,减小了驱动电流,提升双向变频器的性能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及双向变换器,具体涉及一种双向变换器对顶电路及其控制方法


技术介绍

1、随着新能源行业的高速发展,应用场景的复杂多样。在电动汽车、智能电网、可再生能源存储等领域,对电源系统的高功率密度、高效率和可靠性的要求越来越高。电源变换器作为新能源系统中的关键组成部分,其性能直接影响到整个系统的运行效率和稳定性。

2、传统的单向变换器由于其固有的局限性,如功能单一、能量转换效率不高、无法双向能量流动等,已逐渐无法满足新能源系统对电源变换器高性能、多功能的要求。因此,研究双向变换器成为行业内的热点。双向变换器不仅具备单向变换器的功能,还能实现能量的双向流动,提高了系统的灵活性和能量利用率。

3、在双向变换器的实现中,现有的对顶mos(metal-oxide-semiconductor,金属氧化物半导体)电路控制电路存在导通延时、驱动电流大、抗干扰能力不足、对主功率过流没有保护的问题,影响着变换器的性能。

4、因此,现如今急需提供一种双向变换器对顶电路及其控制方法,以此来解决上述问题。


技术实现本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种双向变换器对顶电路,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的一种双向变换器对顶电路,其特征在于,所述开关电路还包括达林顿管、三极管Q1、三极管Q2、三极管Q7、三极管Q20、三极管Q21、三极管Q26;所述达林顿管包括达林顿管1、达林顿管2、达林顿管3、达林顿管4,所述过流检测电路包括电流采样电阻R9、电流采样电阻R11、三极管Q9、三极管Q27,所述三极管Q9的基极和发射极分别接在电流采样电阻R9两侧,三极管Q27的基极和发射极接在电流采样电阻R11两侧。

3.根据权利要求1所述的一种双向变换器对顶电路,其特征在于,所述双向电路拓扑用于接收正向开机信...

【技术特征摘要】

1.一种双向变换器对顶电路,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的一种双向变换器对顶电路,其特征在于,所述开关电路还包括达林顿管、三极管q1、三极管q2、三极管q7、三极管q20、三极管q21、三极管q26;所述达林顿管包括达林顿管1、达林顿管2、达林顿管3、达林顿管4,所述过流检测电路包括电流采样电阻r9、电流采样电阻r11、三极管q9、三极管q27,所述三极管q9的基极和发射极分别接在电流采样电阻r9两侧,三极管q27的基极和发射极接在电流采样电阻r11两侧。

3.根据权利要求1所述的一种双向变换器对顶电路,其特征在于,所述双向电路拓扑用于接收正向开机信号和反向开机信号,当双向电路拓扑接收到正向开机信号,则正向工作,q8为输入对顶mos管,q10为输出对顶mos管;当双向电路拓扑接收到反向开机信号,则反向工作,q10为输入对顶mos管,q8为输出对顶mos管。

4.根据权利要求1所述的一种双向变换器对顶电路,其特征在于,所述对顶电路还设有二极管d3、二极管d4、二极管d12、二极管d13,所述二极管d3的阳极与三极管q2的集电极连接,所...

【专利技术属性】
技术研发人员:张涛杨树锦陆松林王文伟
申请(专利权)人:美泰姆深圳科技有限公司
类型:发明
国别省市:

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