【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及三维堆叠芯片的分析，具体地，是一种三维集成电路的压降分析方法以及实现这种方法的计算机装置、计算机可读存储介质。
技术介绍
1、随着集成电路技术的发展，三维集成电路因具有高密度、高速度、多功能和低功耗等优点，广泛应用在大容量存储器和高速信号处理器中。三维集成电路设计一般经过设计、布局、布线、优化四个主要步骤，传统技术中，由于缺乏快速的分析和精确的仿真指导，三维集成电路的电源完整性和信号完整性无法得到保证，而且大部分问题不能在设计阶段就能发现，也无法在设计阶段对电源进行优化，导致电源的问题等到集成测试或者制芯测试阶段才发现，这样导致三维集成电路的研发成本过高，发现问题的流程过于复杂。
2、因此，在三维集成电路设计的布局布线环节需要快速提取电阻模型并对配电网络进行直流压降分析，并保证整个设计电路的直流压降和电流密度分布在预设的允许范围内，提高设计的可靠性，同时进行设计迭代，保证三维集成电路设计即正确，优化整个三维集成电路设计的流程。
3、目前，三维集成电路直流压降的常用分析方法是利用电磁场的数值进行计算的...
【技术保护点】
1.三维集成电路的压降分析方法，包括：
2.根据权利要求1所述的三维集成电路的压降分析方法，其特征在于：
3.根据权利要求2所述的三维集成电路的压降分析方法，其特征在于：
4.根据权利要求1至3任一项所述的三维集成电路的压降分析方法，其特征在于：
5.根据权利要求4所述的三维集成电路的压降分析方法，其特征在于：
6.根据权利要求1至3任一项所述的三维集成电路的压降分析方法，其特征在于：
7.根据权利要求6所述的三维集成电路的压降分析方法，其特征在于：
8.根据权利要求1至3任一项所述的...
【技术特征摘要】
1.三维集成电路的压降分析方法，包括：
2.根据权利要求1所述的三维集成电路的压降分析方法，其特征在于：
3.根据权利要求2所述的三维集成电路的压降分析方法，其特征在于：
4.根据权利要求1至3任一项所述的三维集成电路的压降分析方法，其特征在于：
5.根据权利要求4所述的三维集成电路的压降分析方法，其特征在于：
6.根据权利要求1至3任一项所述的三维集成电路的压降分析方法，其特征在于：
7.根据权利要求6所...
【专利技术属性】
技术研发人员：符露，赵毅，李少白，胡坤梅，莫晓霖，陈钰文，
申请(专利权)人：珠海硅芯科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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