一种一维光子晶体跑道微环的温度折射率双参量传感器制造技术

本发明专利技术提供一种一维光子晶体跑道微环的温度折射率双参量传感器，包括：总线波导和一维光子晶体跑道微环，其中，所述总线波导呈直线型设于所述一维光子晶体跑道微环的一侧，所述总线波导与所述一维光子晶体跑道微环耦合；所述一维光子晶体跑道微环包括包括跑道结构，所述跑道结构与所述总线波导之间形成光子禁带。本发明专利技术利用慢光效应，在一维光子晶体跑道微环的光子禁带边缘产生自由光谱范围不等的谐振峰，由于温度对有效折射率的影响与待测物质对有效折射率的影响会体现在不同的谐振峰上，因此，通过记录此处各谐振峰位置的相对变化，即可计算出待测物质的温度与折射率信息，提高了检测效率和检测精度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及天线，尤其涉及一种一维光子晶体跑道微环的温度折射率双参量传感器。

技术介绍

1、近年来，许多硅基集成器被用于设计折射率传感器，如微盘谐振器、微环谐振器、光子晶体等。特别是基于soi平台的微环谐振器，由于其插入损耗低、稳定性高、设计简单和易于制造而被广泛关注。微环谐振器是一种回音壁微腔（wgm）结构，在此类结构中，符合谐振条件的光将在回音壁微腔内部来回反射，产生谐振增强效应，可以得到很高的光场强度与q值，因此非常适宜作为传感器、滤波器来使用。

2、然而，传统微环谐振器的自由光谱范围（free spectral range，fsr）是均匀的，这表明温度与待测物质折射率的影响产生了叠加，在此类器件上只能得到叠加后的透射谱，从而不能检测出待测物质的温度与折射率信息。

技术实现思路

1、本专利技术点目的在于：为解决传统微环谐振器不能检测出待测物质的温度与折射率信息的问题，本专利技术提供一种一维光子晶体跑道微环的温度折射率双参量传感器。

2、本申请实施例的技术方案是这样实现的：...

【技术保护点】

1.一种一维光子晶体跑道微环的温度折射率双参量传感器，其特征在于，包括：总线波导和一维光子晶体跑道微环，其中，

2.根据权利要求1所述的一维光子晶体跑道微环的温度折射率双参量传感器，其特征在于，所述总线波导和所述一维光子晶体跑道微环的材质均为SOI。

3.根据权利要求1所述的一维光子晶体跑道微环的温度折射率双参量传感器，其特征在于，所述总线波导的波导宽度为380nm，波导高度为220nm。

4.根据权利要求3所述的一维光子晶体跑道微环的温度折射率双参量传感器，其特征在于，所述一维光子晶体跑道微环还包括环形波导，所述环形波导用于连接两段跑道结构以形成所述...

【技术特征摘要】

1.一种一维光子晶体跑道微环的温度折射率双参量传感器，其特征在于，包括：总线波导和一维光子晶体跑道微环，其中，

2.根据权利要求1所述的一维光子晶体跑道微环的温度折射率双参量传感器，其特征在于，所述总线波导和所述一维光子晶体跑道微环的材质均为soi。

3.根据权利要求1所述的一维光子晶体跑道微环的温度折射率双参量传感器，其特征在于，所述总线波导的波导宽度为380nm，波导高度为220nm。

4.根据权利要求3所述的一维光子晶体跑道微环的温度折射率双参量传感器，其特征在于，所述一维光子晶体跑道微环还包括环形波导，所述环形波导用于连接两段跑道结构以形成所述一维光子晶体跑道微环；所述环形波导半径为6260nm，宽度为400nm。

5.根据权利要求4所述的一维光子晶体跑道微环的温度折射率双参量传感器，其特征在于，所述跑道长...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘力，蒋向荣，
申请(专利权)人：中国地质大学武汉，
类型：发明
国别省市：