静电保护电路制造技术

本发明专利技术涉及一种静电保护电路，能够提高保护性能。实施方式的静电保护电路具备：第1二极管，与第1布线连接；第2二极管，连接在上述第1二极管与第2布线之间；第3二极管，连接在上述第1二极管与上述第2二极管被连接的第1节点、与上述第1布线之间；第1电阻元件，连接在上述第3二极管与上述第1布线之间；以及第1MOS场效应晶体管，连接在上述第1节点与上述第1布线之间，上述第1MOS场效应晶体管的栅极与上述第1电阻元件与上述第3二极管连接的第2节点电连接。

【技术实现步骤摘要】

本实施方式涉及一种静电保护电路。

技术介绍

1、已知有一种ems(electromagnetic susceptibility)对策保护电路(以下，记为静电保护电路)，保护内部电路不受由于静电放电(electro-static discharge：esd)、电路的开闭等而产生的浪涌电压(或者，浪涌电流)影响。

技术实现思路

1、本实施方式提供一种能够提高保护性能的静电保护电路。

2、实施方式的静电保护电路具备：第1二极管，与第1布线连接；第2二极管，连接在上述第1二极管与第2布线之间；第3二极管，连接在上述第1二极管与上述第2二极管被连接的第1节点、与上述第1布线之间；第1电阻元件，连接在上述第3二极管与上述第1布线之间；以及第1mos场效应晶体管，第1端以及第2端连接在上述第1节点与上述第1布线之间，栅极与上述第1电阻元件与上述第3二极管被连接的第2节点连接。

【技术保护点】

1.一种静电保护电路，具备：

2.根据权利要求1所述的静电保护电路，其中，

3.根据权利要求1所述的静电保护电路，其中，

4.根据权利要求1所述的静电保护电路，其中，

5.根据权利要求1所述的静电保护电路，其中，

6.根据权利要求1所述的静电保护电路，其中，

7.根据权利要求1所述的静电保护电路，具备：

8.根据权利要求7所述的静电保护电路，其中，

9.根据权利要求7所述的静电保护电路，其中，

10.根据权利要求1所述的静电保护电路，其中，

11.根据权利要求1所述的静...

【技术特征摘要】

1.一种静电保护电路，具备：

2.根据权利要求1所述的静电保护电路，其中，

3.根据权利要求1所述的静电保护电路，其中，

4.根据权利要求1所述的静电保护电路，其中，

5.根据权利要求1所述的静电保护电路，其中，

6.根据权利要求1所述的静电保护电路，其中，

7.根据权利要求1所述的静电保护电路，具备：

8.根据权利要求7所述的静电保护电路，其中，

9.根据权利要求7所述的静电保护电路，其中，

10.根据权利要求1所述的静电保护电路，其中，

11.根据...

【专利技术属性】
技术研发人员：平冈孝之，
申请(专利权)人：株式会社东芝，
类型：发明
国别省市：