【技术实现步骤摘要】
本公开涉及半导体，具体而言，涉及一种键合结构及其形成方法。
技术介绍
1、随着半导体技术的不断发展，三维集成电路(3-dimensional integratedcircuit，3d-ic)技术得到了广泛地应用。在三维集成电路制程工艺中，会利用键合工艺将不同的晶圆或芯片堆叠在一起，而在键合过程中，易出现结构缺陷，产品良率较低。
2、需要说明的是，在上述
技术介绍
部分公开的信息仅用于加强对本公开的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。
技术实现思路
1、有鉴于此，本公开提供一种键合结构及其形成方法，可减少结构缺陷，提高产品良率。
2、本公开提供一种键合结构，包括：
3、第一衬底，具有第一介质层；
4、第一键合垫，嵌于第一介质层内，并暴露于第一介质层；
5、第二衬底，具有第二介质层；
6、第二键合垫，嵌于第二介质层内，并暴露于第二介质层；第一介质层与第二介质层之间键合，第一键合垫与第二键合垫
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1.一种键合结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的键合结构，其特征在于，在水平方向，所述第二键合垫的顶部呈水平，沿着所述第二键合垫的边缘指向中心，所述第一层间阻挡层厚度减小。
3.根据权利要求1所述的键合结构，其特征在于，在水平方向，所述第二键合垫的顶部呈凸起，沿着所述第二键合垫的边缘指向中心，所述第一层间阻挡层厚度减小。
4.根据权利要求1所述的键合结构，其特征在于，在水平方向，所述第二键合垫的顶部呈凹形，沿着所述第二键合垫的边缘指向中心，所述第一层间阻挡层厚度增加。
5.根据权利要求2-4任一项所述的键合...
【技术特征摘要】
1.一种键合结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的键合结构，其特征在于，在水平方向，所述第二键合垫的顶部呈水平，沿着所述第二键合垫的边缘指向中心，所述第一层间阻挡层厚度减小。
3.根据权利要求1所述的键合结构，其特征在于，在水平方向，所述第二键合垫的顶部呈凸起，沿着所述第二键合垫的边缘指向中心，所述第一层间阻挡层厚度减小。
4.根据权利要求1所述的键合结构，其特征在于，在水平方向，所述第二键合垫的顶部呈凹形，沿着所述第二键合垫的边缘指向中心，所述第一层间阻挡层厚度增加。
5.根据权利要求2-4任一项所述的键合结构，其特征在于，所述层间阻挡层与所述第二键合垫的接触面呈水平或凸起或凹形。
6.根据权利要求1所述的键合结构，其特征在于，还包括第二层间阻挡层，所述第一层间阻挡层和所述第二层间阻挡层共同位于所述第二键合垫与所述第一介质层以及所述第一阻挡层或所述第二阻挡层三者之间的区域。
7.根据权利要求1所述的键合结构，其特征在于，所述第一键合垫的一端高于所述第一介质层和所述第二介质层的键合面，所述第二键合垫的一端低于所述第一介质层和所述第二介质层的键合面。
8.根据权利要求1所述的键合结构，其特征在于，所述第一介质层包括第一子介质层和第二子介质层，所述第二介质层包括第三子介质层和第四子介质层，所述第一键合垫暴露于所述第二子介质层的表面，所述第二键合垫暴露于所述第四子介...
【专利技术属性】
技术研发人员：任鹏，
申请(专利权)人：长鑫科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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