【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体级石英的制备,具体涉及一种高纯度合成石英砂的制备方法。
技术介绍
1、高纯度石英通常指二氧化硅(sio2)含量大于99.9%(3n)的石英,主要分为天然石英和合成石英,因其具有出色的耐高温性能(1600℃)、耐腐蚀性能、电绝缘性、和低热膨胀系数等优势,石英制成的配件已经成为了半导体行业的关键易耗部件。在硅单晶生长的cz法过程中,硅单晶通过石英坩埚被拉出,这就要求石英坩埚能够长时间承受高温环境、高纯度和化学惰性。石英法兰、石英管和石英舟等制品作为晶圆加工过程中的配件,需要高透明度、高纯度和高化学稳定性。可以说,高纯石英是半导体产业链中的重要基材。
2、此外,石英配件在半导体制程中,通常服役在高温高压以及腐蚀的环境中,石英配件中含有的任何金属离子或杂质,都可能在这种氛围中生成含有金属杂质的颗粒和气体,对最终产品的性能产生负面影响。
3、因此,需要石英粉的纯度大于等于99.9999%(6n),以确保在制造设备时不会受到这些石英零件产生的金属杂质的污染。优质天然石英矿物经过破碎、筛分、浮选和酸浸等提纯
...【技术保护点】
1.一种高纯度合成石英砂的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:
2.根据权利要求1所述的一种高纯度合成石英砂的制备方法,其特征在于,所述水解的步骤中,盐酸、多聚硅氧烷、醇和高纯水的摩尔比为(0.01~0.03):(0.05~0.15):(1~8):(1~48)。
3.根据权利要求2所述的一种高纯度合成石英砂的制备方法,其特征在于,所述水解的步骤中,加热的温度为40~85℃,加热的时间为30~120min。
4. 根据权利要求1所述的一种高纯度合成石英砂的制备方法,其特征在于,所述制备溶胶的步骤中,高纯水的加入量为每摩尔多聚硅氧烷加入
...【技术特征摘要】
1.一种高纯度合成石英砂的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:
2.根据权利要求1所述的一种高纯度合成石英砂的制备方法,其特征在于,所述水解的步骤中,盐酸、多聚硅氧烷、醇和高纯水的摩尔比为(0.01~0.03):(0.05~0.15):(1~8):(1~48)。
3.根据权利要求2所述的一种高纯度合成石英砂的制备方法,其特征在于,所述水解的步骤中,加热的温度为40~85℃,加热的时间为30~120min。
4. 根据权利要求1所述的一种高纯度合成石英砂的制备方法,其特征在于,所述制备溶胶的步骤中,高纯水的加入量为每摩尔多聚硅氧烷加入1~48 mol高纯水。
5.根据权利要求4所述的一种高纯度合成石英砂的制备方法,其特征在于,所述制备溶胶的步骤中,加热的温度为55~85℃。
6. 根据权利要求1所述的一种高纯度合成石英砂的制备方法,其特征在于,所述碱性催化剂为nh3...
【专利技术属性】
技术研发人员:江宏富,刘雨雨,高萌,田新,
申请(专利权)人:江苏鑫华半导体科技股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
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