一种镀金钯铜线及其制备方法技术

本发明专利技术涉及集成电路领域，具体涉及一种镀金钯铜线及其制备方法，制备方法包括以下步骤：步骤1，退火处理，得到第一铜线基材；步骤2，超声清洁，得到第二铜线基材；步骤3，镀钯处理，得到第三铜线基材；步骤4，镀金处理，得到第四铜线基材；步骤5，超声清洁处理，得到镀金钯铜线。经过本发明专利技术处理后的钯层或金层不仅表面分布更均匀、平整性更好，不容易出现分层以及破层的现象，从而维持镀金钯铜线的表面均匀性。此外，经过本发明专利技术制备的镀金钯铜线的强度和耐盐雾性也更加优异。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及集成电路领域，具体涉及一种镀金钯铜线及其制备方法。

技术介绍

1、封装是指将芯片在框架或基板上布局、粘贴固定及连接，引出接线端子并通过塑封固定，构成整体立体结构的工艺，既有安放、固定、密封、增强散热和保护芯片的作用，又有连接芯片内部电路和外部电路的作用，而芯片内部焊盘与外部引线框架之间的连接是通过键合线实现的，因此对键合线的导电性有很高的要求；为使键合线能够被拉伸到所需直径，所用金属须有足够的延伸率；为避免芯片被破坏，键合线需能在足够低的温度下进行热压焊接和超声焊接，键合线的化学性能、耐盐雾性能和冶金特性必须与它所焊接的材料相熔合，不会对芯片造成影响。

2、在传统的封装键合工艺中，常用金含量为99.99％以上的纯金线，键合金线具有电导率大、耐腐蚀、韧性好和易焊接等优点。然而金过于贵重，市面上常采用镀钯铜线、镀金铜线来代替昂贵的金线产品，而镀钯键合铜线采用相对低廉的钯作为镀层，控制成本的同时，也可解决铜线易氧化和耐腐蚀的问题。但是通常情况下，镀钯或镀金过程中会出现钯颗粒或金颗粒团聚现象，从而导致钯层或金层不平整，而且还会影响到铜线表本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种镀金钯铜线的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的一种镀金钯铜线的制备方法，其特征在于，所述步骤1中，退火处理的氛围为氮气和氢气按照体积比为9.7-9.9:0.1-0.3的混合气；退火处理的温度为450-550℃，时间为1-2h。

3.根据权利要求1所述的一种镀金钯铜线的制备方法，其特征在于，所述步骤2中，超声洗涤是在无水乙醇中进行，超声频率为20-60kHz，超声时间0.2-0.6h，超声处理后真空干燥。

4.根据权利要求1所述的一种镀金钯铜线的制备方法，其特征在于，所述步骤3中，镀钯处理的温度为55-75℃，镀钯时间...

【技术特征摘要】

1.一种镀金钯铜线的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的一种镀金钯铜线的制备方法，其特征在于，所述步骤1中，退火处理的氛围为氮气和氢气按照体积比为9.7-9.9:0.1-0.3的混合气；退火处理的温度为450-550℃，时间为1-2h。

3.根据权利要求1所述的一种镀金钯铜线的制备方法，其特征在于，所述步骤2中，超声洗涤是在无水乙醇中进行，超声频率为20-60khz，超声时间0.2-0.6h，超声处理后真空干燥。

4.根据权利要求1所述的一种镀金钯铜线的制备方法，其特征在于，所述步骤3中，镀钯处理的温度为55-75℃，镀钯时间为10-20min；所述步骤4中，镀金处理的温度为60-70℃，镀金时间为10-20min。

5.根据权利要求1所述的一种镀金钯铜线的制备方法，其特征在于，所述钯盐为硫酸四氨钯、草酸二氨钯、二氯化二氨钯中的一种或多种混合；所述第一络合剂为酒石酸、琥珀酸、柠檬酸、乙二胺四乙酸中的一种或多种混合；所述第一缓冲剂为磷酸二氢钠、氯化铵、草酸铵、柠檬酸铵中的一种或多种混合。

6.根据权利要求1所述的一种镀金钯铜线的制备方法，其特征在于，...

【专利技术属性】
技术研发人员：林良，王岩，祝海磊，罗晓伟，张乐，
申请(专利权)人：烟台一诺电子材料有限公司，
类型：发明
国别省市：