一种H桥电路的控制方法、存储介质及装置制造方法及图纸

技术编号:42869682 阅读:29 留言:0更新日期:2024-09-27 17:30
本发明专利技术涉及电力电子技术领域,公开了一种H桥电路的控制方法、存储介质及装置。其中方法通过获取当前各开关管的控制信号,判断当前H桥电路处于半桥状态还是全桥状态,并获取当前H桥电路的当前输出量。并获取输出调节量,根据当前输出量和输出调节量计算期望输出量。全桥状态下,将第二上管Q2的控制信号的占空比钳位于其预设的最小占空比阈值以上。当第二上管Q2的控制信号的占空比阈值减小至其最小占空比阈值后,输出仍不满足期望输出量,则对第二上管Q2的控制信号进行移相,使两个上管的控制信号的高电平段部分重合。该控制方法能在不影响H桥电路输出功率区间连续性的同时降低上下管同时导通的概率,以降低开关管被击穿烧毁的概率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及电力电子,具体涉及一种h桥的控制方法、存储介质及装置。


技术介绍

1、如图1所示,h桥电路广泛应用于电机控制以及无线充电系统中,通过对mos管的快速开关实现输出传输及数据通信,如果h桥中的任意一个mos管被烧坏,则无法实现输出传输及数据通信的功能。当h桥电路中的同一侧的上管和下管同时导通时,输入h桥电路的电能会不经过负载直接流过mos管,导致mos管被较大的电流击穿烧毁,且由于mos管存在寄生电容,导通和关断均具有一定的延时,所以上述现象容易出现在mos管的切换过程中。为了解决上述技术问题,通常会在mos管的控制信号的开通和关断处设置死区时间。但经过测试发现,受制于控制芯片控制能力有限,当mos管的导通时间过短时,pwm控制信号的占空比会过小,脉宽宽度会过窄,容易导致死区时间失效,如图2所示。为此,需要设计一种新的可以避免由于pwm控制信号的占空比过小导致死区失效的h桥电路的控制方法,


技术实现思路

1、为了克服现有技术的不足,本专利技术的目的在于提供一种h桥电路的控制方法,能够避免由于pwm控本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种H桥电路的控制方法,其特征在于,包括如下步骤:

2.根据权利要求1所述的H桥电路的控制方法,其特征在于,还包括:

3.根据权利要求1所述的H桥电路的控制方法,其特征在于,还包括:

4.根据权利要求1所述的一种H桥电路的控制方法,其特征在于,还包括:

5.一种H桥电路的控制装置,其特征在于,包括:

6.根据权利要求5所述的控制装置,其特征在于,所述调节单元还用于全桥状态时,在两个上管的控制信号在每个控制周期中存在导通时间重合且需要增加输出的情况下,先增加第二上管Q2的控制信号的占空比,若将第二上管Q2的控制信号的占空比增加...

【技术特征摘要】

1.一种h桥电路的控制方法,其特征在于,包括如下步骤:

2.根据权利要求1所述的h桥电路的控制方法,其特征在于,还包括:

3.根据权利要求1所述的h桥电路的控制方法,其特征在于,还包括:

4.根据权利要求1所述的一种h桥电路的控制方法,其特征在于,还包括:

5.一种h桥电路的控制装置,其特征在于,包括:

6.根据权利要求5所述的控制装置,其特征在于,所述调节单元还用于全桥状态时,在两个上管的控制信号在每个控制周期中存在导通时间重合且需要增加输出的情况下,先增加第二上管q2的控制信号的占空比,若将第二上管q2的控制信号的占空比增加至其预设的最大占空比阈值后仍达不到期望输出量,则继续对第二上管q2的控制信号进行移相,使每个控制周期中两个上管的控制信号的导通时间的重合长度减小。

7.根...

【专利技术属性】
技术研发人员:刘祥浴姚寿祥孙志举
申请(专利权)人:珠海英集芯半导体有限公司
类型:发明
国别省市:

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