【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及电机,具体而言,涉及一种转子结构和电机。
技术介绍
1、永磁辅助同步磁阻电机具有效率高、功率因数高、转矩密度大、响应频率宽、可无需要复杂耦合器等优点,广泛应用于工业界与科研领域,但存在自起动问题,主要是因为转子铜耗,使电机起动转矩减小,转子铜耗较大,影响电机效率。
2、自起动永磁辅助同步磁阻电机在永磁辅助同步磁阻电机的基础上,结合异步电机的优点,利用转子鼠笼条产生的异步转矩实现自起动,且没有转子铜耗,因此具有较高的效率。
3、自起动永磁同步电机直接接电网起动运行,起动电流大,容易出现退磁问题;特别是对于两极电机,定子退磁磁场集中,转子空间有限,难以有效兼顾退磁和电机可靠性问题。
技术实现思路
1、本专利技术的主要目的在于提供一种转子结构和电机,能够提升电机的抗退磁能力,增强电机的运行可靠性。
2、为了实现上述目的,根据本专利技术的一方面,提供了一种转子结构,包括转子铁芯和永磁体,转子铁芯包括多个填充槽、多个永磁体槽和多个空气槽,永磁体设置在
...【技术保护点】
1.一种转子结构,其特征在于,包括转子铁芯(2)和永磁体(7),所述转子铁芯(2)包括多个填充槽(4)、多个永磁体槽(5)和多个空气槽(6),所述永磁体(7)设置在所述永磁体槽(5)内,所述填充槽(4)分布在所述转子铁芯(2)的外周侧,所述填充槽(4)包括q轴填充槽(41)和d轴填充槽(42),沿着远离d轴的方向,所述永磁体槽(5)、所述空气槽(6)和所述q轴填充槽(41)依次设置,各所述q轴填充槽(41)与相邻的所述空气槽(6)之间设置有连接筋(8),至少部分所述空气槽(6)与所述永磁体槽(5)之间设置有连接筋(8),位于同一层的所述q轴填充槽(41)、所述空气槽(
...【技术特征摘要】
1.一种转子结构,其特征在于,包括转子铁芯(2)和永磁体(7),所述转子铁芯(2)包括多个填充槽(4)、多个永磁体槽(5)和多个空气槽(6),所述永磁体(7)设置在所述永磁体槽(5)内,所述填充槽(4)分布在所述转子铁芯(2)的外周侧,所述填充槽(4)包括q轴填充槽(41)和d轴填充槽(42),沿着远离d轴的方向,所述永磁体槽(5)、所述空气槽(6)和所述q轴填充槽(41)依次设置,各所述q轴填充槽(41)与相邻的所述空气槽(6)之间设置有连接筋(8),至少部分所述空气槽(6)与所述永磁体槽(5)之间设置有连接筋(8),位于同一层的所述q轴填充槽(41)、所述空气槽(6)和所述永磁体槽(5)形成一层磁通屏障,多层所述磁通屏障沿d轴方向间隔排布,沿d轴方向位于径向最外侧的所述磁通屏障的连接筋(8)数量大于位于其它层的磁通屏障的连接筋(8)数量。
2.根据权利要求1所述的转子结构,其特征在于,各所述磁通屏障在d轴上均设置有所述连接筋(8),沿d轴方向位于径向最外侧的所述磁通屏障中,所述永磁体槽(5)和所述空气槽(6)之间设置有所述连接筋(8),位于其它层的所述磁通屏障中,所述永磁体槽(5)与所述空气槽(6)连通。
3.根据权利要求2所述的转子结构,其特征在于,沿d轴方向位于径向最外侧的所述磁通屏障中,所述永磁体槽(5)与所述空气槽(6)之间的连接筋(8)的宽度以及位于d轴上的所述连接筋(8)的宽度为w5,位于所述永磁体槽(5)内的所述永磁体(7)的厚度为w1,0.2*w1≤w5≤0.5*w1。
4.根据权利要求1所述的转子结构,其特征在于,沿d轴方向位于径向最外侧的所述永磁体(7)的厚度为w1,位于径向最内侧的所述永磁体(7)的厚度为w3,位于中间层的所述永磁体(7)的厚度为w2,w1>w2≥w3。
5.根据权利要求4所述的转子结构,其特征在于,w1≥1.2*w2。
6.根据权利要求1所述的转子结构,其特征在于,位于d轴同一侧的不同层的所述永磁体槽(5)之间相互平行,每一层所述磁通屏障包括两块矩形的所述永磁体(7),且位于同一层的两块所述永磁体(7)关于d轴对称。
7.根据权利要求1所述的转子结构,其特征在于,每一层所述磁通屏障包括两块所述永磁体(7),同一极下,在垂直于所述转子铁芯(2)的中心轴线的截面内,位于同一层的两块所述永磁体(7)的周向外边缘的端点与所述转子铁芯(2)的中心的连线所形成的夹角为极弧角β,各层所述永磁体(7)所形成的极弧角β<90°。
8.根据权利要求7所述的转子结构,其特征在于,40°≤β≤75°;和/或,在d轴上沿径向由内而外的方向,各层所述永磁体(7)所形成的极弧角β递减。
9.根据权利要求1所述的转子结构,其特征在于,所述永磁体槽(5)为矩形槽,同一层所述磁通屏障中的所述永磁体槽(5)关于d轴对称,两个关于d轴对称的所述永磁体槽(5)之间的夹角为α...
【专利技术属性】
技术研发人员:陈彬,肖勇,史进飞,胡陈杉,李莹,李霞,
申请(专利权)人:珠海格力电器股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
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