隔离芯片层间介质层的制造方法及隔离芯片技术

本发明专利技术涉及半导体技术领域，提供一种隔离芯片层间介质层的制造方法及隔离芯片。所述方法包括：采用脉冲式的等离子增强化学气相淀积方法，在金属层上生长低K介质材料形成第一层薄介质层；采用连续式的等离子增强化学气相淀积方法，采用高频与低频交替的射频频率，在第一层薄介质层表面生长低K介质材料形成第二层厚介质层；采用脉冲式的等离子增强化学气相淀积方法，在第二层厚介质层表面生长低K介质材料形成第三层薄介质层；第一层薄介质层、第二层厚介质层及第三层薄介质层构成隔离芯片层间介质层。本发明专利技术采用脉冲式沉积和连续性沉积的方式交替生长低K介质膜，克服了现有技术中隔离芯片层间介质层粘附性较差、应力过大的缺陷。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体，具体地涉及一种隔离芯片层间介质层的制造方法及隔离芯片。

技术介绍

1、隔离芯片可以实现信号的隔离传输功能。电容隔离芯片中电容被封装在左右两个裸片上，通过bonding（键合）线互联。交流信号通过高压电容，跨过隔离带，将信号由发送机传输到接收机，而直流信号被高压电容阻挡，从而达到高压隔离的目的。

2、层间绝缘是实现高性能隔离器件的关键技术，通常隔离芯片的层间介质层厚度较大（10μm以上），现有工艺形成的较厚的层间介质层具有粘附性较差的缺陷。隔离电容器件的层间介质膜主要是sio2和si3n4，广泛采取的制备方法是pecvd（plasma enhancedchemical vapor deposition，等离子增强化学气相淀积）。采用sih4+n2o在加热和等离子气氛下反应沉积sio2，采用sih4+nh3在加热和等离子气氛下反应沉积si3n4。sio2和si3n4在金属电极的粘附性非常差，对于完成化学机械研磨后的金属层来说，一旦呈现过度研磨，由于dishing（凹陷）效应导致薄膜的中央区域凹陷，在凹陷的地方介质层的黏附性变差本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种隔离芯片层间介质层的制造方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的隔离芯片层间介质层的制造方法，其特征在于，采用脉冲式的等离子增强化学气相淀积方法，在金属层上生长低K介质材料形成第一层薄介质层，包括：

3.根据权利要求2所述的隔离芯片层间介质层的制造方法，其特征在于，第一层薄介质层的厚度为0.5μm-1μm。

4.根据权利要求1所述的隔离芯片层间介质层的制造方法，其特征在于，所述对等离子增强化学气相淀积的射频频率进行高频与低频的多次交替切换，包括：

5.根据权利要求1所述的隔离芯片层间介质层的制造方法，其特征在于，采用连续式...

【技术特征摘要】

1.一种隔离芯片层间介质层的制造方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的隔离芯片层间介质层的制造方法，其特征在于，采用脉冲式的等离子增强化学气相淀积方法，在金属层上生长低k介质材料形成第一层薄介质层，包括：

3.根据权利要求2所述的隔离芯片层间介质层的制造方法，其特征在于，第一层薄介质层的厚度为0.5μm-1μm。

4.根据权利要求1所述的隔离芯片层间介质层的制造方法，其特征在于，所述对等离子增强化学气相淀积的射频频率进行高频与低频的多次交替切换，包括：

5.根据权利要求1所述的隔离芯片层间介质层的制造方法，其特征在于，采用连续式的等离子增强化学气相淀积方法，采用高频与低频交替的射频频率，在第一层薄介质层表面生长低k介质材料形成第二层厚介质层，包括：

6.根据权利要求5所述的隔离芯片层间介质层的制造方法，其特征在于，第二层厚介质层的厚度为10μm-20μm。

7.根据权利要求1所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈燕宁，吴波，刘芳，仇佳，陶然，吴永玉，邓永峰，王凯，
申请(专利权)人：北京智芯微电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：