【技术实现步骤摘要】
本公开总体上涉及半导体器件及其制造方法，更具体地，涉及包括位线的半导体器件及其制造方法。
技术介绍
1、随着相关半导体器件缩小，用于实现相关半导体器件的各个精细电路图案的尺寸可以进一步减小。可选地或附加地，由于集成电路器件可以相对高度地集成，所以位线的线宽可能减小，照此，在位线之间形成接触的工艺的难度可能增加。
技术实现思路
1、本公开的各方面提供了一种能够潜在地降低在位线之间形成接触的工艺的难度的半导体器件。
2、根据本公开的方面，提供了一种半导体器件。该半导体器件包括：衬底，包括由器件隔离层限定的多个有源区；在衬底上沿第一水平方向延伸的多条位线；在所述多个有源区中的第一有源区与所述多条位线中的在第一有源区上的第一位线之间的位线接触；以及在所述多个有源区中的与第一有源区相邻的第二有源区上的有源焊盘。位线接触包括第一接触层和在第一接触层上的第二接触层，有源焊盘设置为面向位线接触。
3、根据本公开的方面，提供了一种半导体器件。该半导体器件包括：衬底，包括由器件隔离层限...
【技术保护点】
1.一种半导体器件，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，进一步包括：
3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中所述有源焊盘接触所述第一接触间隔物层的外壁。
4.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，从平面图，所述有源焊盘包括：
5.根据权利要求4所述的半导体器件，其中：
6.根据权利要求2所述的半导体器件，其中：
7.根据权利要求2所述的半导体器件，进一步包括：
8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中：
9.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第二接触层的第一...
【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，进一步包括：
3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中所述有源焊盘接触所述第一接触间隔物层的外壁。
4.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，从平面图，所述有源焊盘包括：
5.根据权利要求4所述的半导体器件，其中：
6.根据权利要求2所述的半导体器件，其中：
7.根据权利要求2所述的半导体器件，进一步包括：
8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中：
9.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第二接触层的第一底表面的第一水平低于所述有源焊盘的第二底表面的第二水平。
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