【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及压力传感器敏感元件，尤其是涉及金属薄膜压力芯体及制备方法。
技术介绍
1、金属薄膜式压力传感器，是利用薄膜或厚膜技术在金属弹性体上制作薄膜应变电路的压力敏感元件，用玻璃、陶瓷等介质层代替粘贴胶层，具有蠕变小，长期稳定性好，可靠性高，耐高温等优点。
2、采用薄膜技术制作的溅射薄膜力敏电阻为金属合金材料，一方面传感器的灵敏度较低，输出信号经放大后会引起较大的测量误差；另一方面，在宽温区工作环境下，因金属材料的电阻温度特性，一般为正温度系数，即随温度的升高电阻的阻值会增大，而引起的温漂不容忽视，且补偿电路复杂，补偿温度范围较窄，精度不高。
3、采用厚膜丝印和高温烧结技术的微熔传感器力敏电阻为半导体材料，相较于金属合金材料灵敏度系数高，能提升约50-100倍，但电阻和温度系数也更大，一般为负温度系数，即随温度的升高电阻的阻值会减小，宽温区的温度补偿和全温区精度同样面临较大的挑战。
4、因此，急需提供金属薄膜压力芯体及制备方法以在一定程度上解决现有技术中存在的问题。
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【技术保护点】
1.金属薄膜压力芯体，其特征在于，包括弹性基体、绝缘层、补偿电阻、合金电阻、硅应变组件、连接件和引线；
2.根据权利要求1所述的金属薄膜压力芯体，其特征在于，所述引压口将所述弹性基体形成固支部和薄膜部，所述补偿电阻对应所述固支部的背压侧设置，所述合金电阻对应所述薄膜部的背压侧设置。
3.根据权利要求1所述的金属薄膜压力芯体，其特征在于，还包括定位层，所述定位层形成于所述绝缘层上，将所述硅应变组件固定在所述绝缘层上。
4.根据权利要求3所述的金属薄膜压力芯体，其特征在于，所述绝缘层上形成有保护层，所述定位层形成于所述保护层上，且将所述...
【技术特征摘要】
1.金属薄膜压力芯体，其特征在于，包括弹性基体、绝缘层、补偿电阻、合金电阻、硅应变组件、连接件和引线；
2.根据权利要求1所述的金属薄膜压力芯体，其特征在于，所述引压口将所述弹性基体形成固支部和薄膜部，所述补偿电阻对应所述固支部的背压侧设置，所述合金电阻对应所述薄膜部的背压侧设置。
3.根据权利要求1所述的金属薄膜压力芯体，其特征在于，还包括定位层，所述定位层形成于所述绝缘层上，将所述硅应变组件固定在所述绝缘层上。
4.根据权利要求3所述的金属薄膜压力芯体，其特征在于，所述绝缘层上形成有保护层，所述定位层形成于所述保护层上，且将所述硅应变组件固定在所述保护层上。
5.根据权利要求4所述的金属薄膜压力芯体，其特征在于，所述绝缘层和所述保护层均由二氧化硅材料制成，所述补偿电阻和所述合金电阻均由金属或合金材料制成，且所述补偿电阻和所述合金电阻均利用磁控溅射镀膜技术形成。
【专利技术属性】
技术研发人员：何明，陈浩宾，韩利君，陈功帅，孔祥飞，杨少波，龙云，佟明航，
申请(专利权)人：中航光电华亿沈阳电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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