版图修正方法、存储介质及终端技术

一种版图修正方法、存储介质及终端，其中修正方法包括：提供初始版图，所述初始版图包括若干主图形；将所述初始版图划分为若干版块区域，相邻的所述版块区域之间具有版块边界；采用辅助图形的并行计算方法，在每个所述版块区域内形成若干第一辅助图形；基于所述版块边界，在所述版块区域内形成过滤区域，所述过滤区域内存在所述第一辅助图形缺失；去除所述过滤区域内的所述第一辅助图形；在去除所述第一辅助图形之后，采用辅助图形的串行计算方法，在每个所述过滤区域内形成若干第二辅助图形，使得所述初始版图形成修正版图。通过将辅助图形的并行计算方法和辅助图形的串行计算方法进行结合，能够同时兼顾辅助图形的形成效率和分布均匀性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造，尤其涉及一种版图修正方法、存储介质及终端。

技术介绍

1、集成电路制造技术是一个复杂的工艺，技术更新很快。表征集成电路制造技术的一个关键参数为最小特征尺寸，即关键尺寸(critical dimension，cd)，随着关键尺寸的缩小，甚至缩小至纳米级，而正是由于关键尺寸的减小才使得每个芯片上设置百万个器件成为可能。

2、光刻技术是集成电路制造工艺发展的驱动力，也是最为复杂的技术之一。相对与其它单个制造技术来说，光刻技术的提高对集成电路的发展具有重要意义。在光刻工艺开始之前，首先需要将图案通过特定设备复制到掩膜版上，然后通过光刻设备产生特定波长的光将掩膜版上的图案结构复制到生产芯片的硅片上。但是由于半导体器件尺寸的缩小，在将图案转移到硅片的过程中会发生失真现象，如果不消除这种失真现象会导致整个制造技术的失败。因此，为了解决所述问题可以对所述掩膜版进行光学邻近修正(opticalproximity correction，opc)，所述光学邻近修正方法即为对所述光刻掩膜版进行光刻前预处理，进行预先修改，使得修改补偿的量正好能本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种版图修正方法，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的版图修正方法，其特征在于，基于所述版块边界，在与所述版块边界两侧邻接的所述版块区域内形成过滤区域的方法包括：基于所述版块边界，在与所述版块边界邻接的所述版块区域内形成初始过滤区域；对所述初始过滤区域进行修正处理，形成所述过滤区域。

3.如权利要求2所述的版图修正方法，其特征在于，所述初始过滤区域形成方法包括：以所述版块边界为基准，在所述版块区域内，将所述版块边界朝向垂直于所述版块边界的方向扩展第一尺寸，形成所述初始过滤区域。

4.如权利要求3所述的版图修正方法，其特征在于，所述第一尺寸的范...

【技术特征摘要】

1.一种版图修正方法，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的版图修正方法，其特征在于，基于所述版块边界，在与所述版块边界两侧邻接的所述版块区域内形成过滤区域的方法包括：基于所述版块边界，在与所述版块边界邻接的所述版块区域内形成初始过滤区域；对所述初始过滤区域进行修正处理，形成所述过滤区域。

3.如权利要求2所述的版图修正方法，其特征在于，所述初始过滤区域形成方法包括：以所述版块边界为基准，在所述版块区域内，将所述版块边界朝向垂直于所述版块边界的方向扩展第一尺寸，形成所述初始过滤区域。

4.如权利要求3所述的版图修正方法，其特征在于，所述第一尺寸的范围为：280纳米～320纳米。

5.如权利要求2所述的版图修正方法，其特征在于，对所述初始过滤区域进行修正处理，形成所述过滤区域的方法包括：在所述初始过滤区域内，获取头端间距大于预设尺寸的相邻所述第一辅助图形；获取与所述第一辅助图形相邻的所述主图形；基于所述主图形，形成所述过滤区域。

6.如权利要求5所述的版图修正方法，其特征在于，所述预设尺寸的范围为：35纳米～45纳米。

7.如权利要求5所述的版图修正方法，其特征在于，基于...

【专利技术属性】
技术研发人员：王占雨，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：