【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及晶圆图分析，具体涉及一种晶圆失效模式识别方法、装置、设备及介质。
技术介绍
1、半导体晶圆在制造过程中，可能会受到制程事故等异常因素的干扰，造成晶粒(die)的良率(chip probe，cp)过低，使晶圆图(wafer map)出现某些特殊的故障样型。将具有某一特殊故障样型的晶圆图，称为晶圆的一种失效模式。为了避免更多的损失，需要工程师基于晶圆的失效模式，尽快定位问题，以进行制程改善。
2、目前，主要依赖工程师以人工目视的方式来判断分析晶圆图是否为故障样型。由于人为主观因素及对空间图形辩识能力的差距，会造成判断结果的不一致，进而导致故障原因分类出现偏差，最终导致无法快速排除故障，增加生产损失。
技术实现思路
1、本专利技术要解决的问题是：快速判断晶圆的失效模式。
2、为解决上述问题，本专利技术实施例提供了一种晶圆失效模式识别方法，所述方法包括：
3、获取待识别晶圆的良率测试数据及失效区域的特征数据；
4、结合所述良率测试数据及...
【技术保护点】
1.一种晶圆失效模式识别方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的晶圆失效模式识别方法，其特征在于，所述待识别晶圆形状为规则形状，所述预设区域为以下任意一种：
3.如权利要求2所述的晶圆失效模式识别方法，其特征在于，所述良率测试数据包括：待识别晶圆中心点坐标数据，以及待识别晶圆中各晶粒的分布数据。
4.如权利要求3所述的晶圆失效模式识别方法，其特征在于，所述失效区域的特征数据，包括中心区域覆盖圈数数据、第一外环干扰圈数数据及中心区域覆盖率数据；
5.如权利要求3所述的晶圆失效模式识别方法，其特征在于，所述失效区域的...
【技术特征摘要】
1.一种晶圆失效模式识别方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的晶圆失效模式识别方法，其特征在于，所述待识别晶圆形状为规则形状，所述预设区域为以下任意一种：
3.如权利要求2所述的晶圆失效模式识别方法，其特征在于，所述良率测试数据包括：待识别晶圆中心点坐标数据，以及待识别晶圆中各晶粒的分布数据。
4.如权利要求3所述的晶圆失效模式识别方法，其特征在于，所述失效区域的特征数据，包括中心区域覆盖圈数数据、第一外环干扰圈数数据及中心区域覆盖率数据；
5.如权利要求3所述的晶圆失效模式识别方法，其特征在于，所述失效区域的特征数据，包括：边缘区域覆盖圈数数据、第一内环干扰圈数数据及边缘区域覆盖率数据；
6.如权利要求3所述的晶圆失效模式识别方法，其特征在于，所述失效区域的特征数据，包括：环形位置圈数、第二外环干扰圈数数据、第二内环干扰圈数数据及环形区域覆盖率数据；
7.如权利要求1所述的晶圆失效模式识别方法，其特征在于，所述待识别晶圆形状为不规则形状。
8.如权利要求7所述的晶圆失效模式识别方法，其特征在于，所述失效区域的特征数据，包括：晶粒簇中晶粒数量指示数据、搜索路径指示数据及预设形状晶粒簇的覆盖率数据；
9.如权利要求8所述的晶圆失效模式识别方法，其特征在于，所述基于所述失效区域的判断结果，确定所述待识别晶圆的失效模式并输出，包括：
10.如权利要求8或9所述的晶圆失效模式识别方法，其特征在于，当所述待识别晶圆形状为不规则形状时，所述基于所述失效区域的判断结果，确定所述待识别晶圆的失效模式，包括：
11.如权利要求10所述的晶圆失效模式识别方法，其特征在于，结合所述良率测试数据及失效区域的特征数据，判断所述待识别晶圆的预设区域是否为失效区域，包括：
【专利技术属性】
技术研发人员：李米娜，金作臻，李征，高静，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：
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