一种全温区高精度硅压力传感器芯片制造方法技术

本发明专利技术公开了一种全温区高精度硅压力传感器芯片制造方法，以晶向<100>的单晶硅为基材制作单晶硅基片，按照硅压力传感器设计指标，在单晶硅基片上设计4个相同的硅杯，硅杯底部为硅压力膜片；在每个硅杯中各设计1个相同阻值的压敏电阻；再将单晶硅基片与玻璃基板静电封接；将单晶硅基片上的4个压敏电阻通过划片沟槽分割成物理上相互隔离的4个独立压敏电阻；将4个独立压敏电阻通过内引线连接构成惠思通电桥，形成一个完整的压力传感器芯片。本发明专利技术的有益效果是：充分利用现有MEMS成熟工艺，消除的PN结漏电，不使用二氧化硅层，四个电阻均衡设计，提高器件全温区使用稳定性、一致性。该种方法工艺路线清晰，产品的价格优势明显，易于批量生产。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及mems器件制造领域，具体地说，涉及一种在（-55℃～300℃）全温区工作的高精度硅压力传感器芯片的制造方法。

技术介绍

1、mems制造工艺（microelectromechanical systems，mems ）是下至纳米尺度，上至毫米尺度微结构加工工艺的通称。广义上的mems制造工艺，方式十分丰富，几乎涉及了各种现代加工技术。起源于半导体和微电子工艺，以光刻、外延、薄膜淀积、氧化、扩散、注入、溅射、蒸镀、刻蚀、划片和封装等为基本工艺步骤来制造复杂三维形体的微加工技术。

2、目前，硅压力传感器芯片生产，采用两个工艺路线。一是采用pn结隔离技术，适用工作温度125℃以下。另一是采用soi单晶片工艺技术，适用高温应用场合。

3、pn结隔离是利用反向的pn结在没有击穿的情况下漏电很小，阻抗很大，可以看作绝缘体达到隔离的目的。pn结隔离制作过程是：将n型单晶硅片切成厚约300微米左右的硅片，经研磨双面抛光后进行表面氧化， 在硅片表面生成厚约1微米的氧化膜，然后经光刻在氧化膜上刻蚀出电阻条扩散窗口，经过离子注入，再分布扩散本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种全温区高精度硅压力传感器芯片制造方法，采用MEMS制造工艺；其特征在于：

2.根据权利要求1所述的一种全温区高精度硅压力传感器芯片制造方法，其特征在于：所述单晶硅采用高阻硅单晶片，为P型或N型。

3.根据权利要求1所述的一种全温区高精度硅压力传感器芯片制造方法，其特征在于：所述4个电阻条(6)形状为单一矩形或多个矩形串联，长度和宽度依据工艺线精度设定；所述4个电阻条(6)为单条或折叠条，4个电阻条(6)的阻值相同：

4.根据权利要求1所述的一种全温区高精度硅压力传感器芯片制造方法，其特征在于：所述单晶硅基片(1)，依据设计工作温度范围，选择硅单...

【技术特征摘要】

1.一种全温区高精度硅压力传感器芯片制造方法，采用mems制造工艺；其特征在于：

2.根据权利要求1所述的一种全温区高精度硅压力传感器芯片制造方法，其特征在于：所述单晶硅采用高阻硅单晶片，为p型或n型。

3.根据权利要求1所述的一种全温区高精度硅压力传感器芯片制造方法，其特征在于：所述4个电阻条(6)形状为单一矩形或多个矩形串联，长度和宽度依据工艺线精度设定；所述4个电阻条(6)为单条或折叠条，4个电阻条(6)的阻值相同：

4.根据权利要求1所述的一种全温区高精度硅压力传感器芯片制造方法，其特征在于：所述单晶硅基片(1)，依据设计工作温度范围，选择硅单晶片电阻率指标；所述4个电阻条(6)的阻值，根据电路工作指标需求设计，确保所构成的惠思通电桥零点稳定。

5.根据权利要求1所述的一种全温区高精度硅压力传感器芯片制造方法，其特征在于：所述硅压力膜片(1)厚度和玻璃基板(3)厚度根据基准量程设计，硅压力膜片(1)的厚度根据基准量程、膜片...

【专利技术属性】
技术研发人员：李志福，
申请(专利权)人：李志福，
类型：发明
国别省市：