一种应用于芯片的纳米银高导热导电胶及其制备方法技术

技术编号:42847984 阅读:41 留言:0更新日期:2024-09-27 17:17
本申请涉及芯片封装材料领域,具体公开一种应用于芯片的纳米银高导热导电胶及其制备方法。一种应用于芯片的纳米银高导热导电胶,由以下重量百分比的原料制得:银粉70‑90%、环氧树脂3‑15%、增粘剂3‑5%、固化剂2‑4%、溶剂余量;银粉由纳米银粉和微米银粉组成,纳米银粉的粒径为25‑50nm,微米银粉的粒径为1‑3µm;制备方法为:将各组份混合均匀,真空脱泡制得。本申请的制备工艺简单,制得的纳米银高导热导电胶具有较好的导电性、导热性和粘接性,应用于芯片封装中,长期使用具有较好的耐热稳定性和可靠性。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及芯片封装材料的领域,更具体地说,它涉及一种应用于芯片的纳米银高导热导电胶及其制备方法


技术介绍

1、导电胶通常由树脂基体、导电填料和助剂等组成,一般使用的树脂基体为环氧树脂,导电填料为银粉、铜粉、铝粉、炭黑等,助剂包括固化剂等。导电胶作为一种新型电子环保材料,正逐步取代锡铅焊料而广泛应用于芯片封装中。

2、当导电胶应用于芯片封装中时,由于芯片集成化和微量化的特性,使得对导电胶的导热性能和粘接性能要求较高,目前,一般使用的导电胶的导热系数在5-10w/m·k,当应用于一些大功率和高精度的芯片封装中时,适用性较低。

3、目前,为了提升导电胶的导热和导电性能,一般通过增加导电填料和导热填料的用量以制备导电胶,但是导电填料和导热填料的加入,使得制得的导电胶的粘接性能降低,当芯片在长期高热条件下使用时,稳定性和可靠性降低。


技术实现思路

1、为了解决现有的导电胶应用于芯片封装中时,导热性和导电性较低,粘接性能低,长期使用稳定性和可靠性低的问题,本申请提供一种应用于芯片的纳米银高导热导本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种应用于芯片的纳米银高导热导电胶,其特征在于,由以下重量百分比的原料制得:

2.根据权利要求1所述的一种应用于芯片的纳米银高导热导电胶,其特征在于,所述纳米银粉和所述微米银粉的重量比为(6-7):(1-2)。

3.根据权利要求1或2所述的一种应用于芯片的纳米银高导热导电胶,其特征在于,所述银粉为预处理银粉,所述预处理银粉由以下重量份的原料制得:

4.根据权利要求3所述的一种应用于芯片的纳米银高导热导电胶,其特征在于,所述硅烷偶联剂为乙烯基硅烷偶联剂、氨基硅烷偶联剂、环氧基硅烷偶联剂、甲基丙烯酰氧基硅烷中的一种或组合。

<p>5.根据权利要求...

【技术特征摘要】

1.一种应用于芯片的纳米银高导热导电胶,其特征在于,由以下重量百分比的原料制得:

2.根据权利要求1所述的一种应用于芯片的纳米银高导热导电胶,其特征在于,所述纳米银粉和所述微米银粉的重量比为(6-7):(1-2)。

3.根据权利要求1或2所述的一种应用于芯片的纳米银高导热导电胶,其特征在于,所述银粉为预处理银粉,所述预处理银粉由以下重量份的原料制得:

4.根据权利要求3所述的一种应用于芯片的纳米银高导热导电胶,其特征在于,所述硅烷偶联剂为乙烯基硅烷偶联剂、氨基硅烷偶联剂、环氧基硅烷偶联剂、甲基丙烯酰氧基硅烷中的一种或组合。

5.根据权利要求3所述的一种应用于芯片的纳米银高导热导电胶,其特征在于,所述预处理银粉由以下步骤制得:

6.根据权利要求1所述的一种应用于芯片的纳米银高导热导...

【专利技术属性】
技术研发人员:杨学礼林志波许军
申请(专利权)人:道夫新材料惠州有限公司
类型:发明
国别省市:

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