【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体量测，特别涉及一种用于半导体量测的回归模型混合约束优化方法及系统。
技术介绍
1、光学关键尺寸（optical critical dimension，ocd）量测技术和薄膜厚度（thinfilm）量测技术均广泛应用于半导体芯片制造量测领域，对半导体产品的质量监测、工艺优化、成本控制、良品率提升等具有重要意义。量测技术的数学原理是通过一系列的复杂算法，即正问题与反问题的结合，在不破坏待测样本的前提下，获取半导体芯片的实际物理形貌以及关键尺寸。
2、回归分析是半导体量测领域中通用的反问题求解方法，其主要思想是从量测设备得到实测数据，通过求解适当的回归分析数学模型，反推出半导体器件的实际物理尺寸。常见的回归算法有最速下降法（或梯度下降法）、高斯牛顿法（gauss-newton或gn）、列文伯格-马夸尔特法（levenberg-marquardt或lm），拟牛顿法如bfgs等。其中，lm法可视为最速下降法和gn法的结合：当距离最优解较远时，lm法偏向于最速下降法，能够快速确定下降方向；当逐渐接近最优解时，lm法偏...
【技术保护点】
1.一种用于半导体量测的回归模型混合约束优化方法，其特征在于，包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的回归模型混合约束优化方法，其特征在于，
3.根据权利要求1所述的回归模型混合约束优化方法，其特征在于，计算约束回归模型得到回归结果点向量包括：
4.根据权利要求1所述的回归模型混合约束优化方法，其特征在于，在计算过程中动态调整搜索点包括：
5.根据权利要求1所述的回归模型混合约束优化方法，其特征在于，根据约束条件，对所述回归结果点向量执行框式投影，得到投影点向量包括：
6.根据权利要求1所述的回归模型混合约束...
【技术特征摘要】
1.一种用于半导体量测的回归模型混合约束优化方法，其特征在于，包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的回归模型混合约束优化方法，其特征在于，
3.根据权利要求1所述的回归模型混合约束优化方法，其特征在于，计算约束回归模型得到回归结果点向量包括：
4.根据权利要求1所述的回归模型混合约束优化方法，其特征在于，在计算过程中动态调整搜索点包括：
5.根据权利要求1所述的回归模型混合约束优化方法，其特征在于，根据约束条件，对所述回归结果点向量执行框式投影，得到投影点向量包括：
6.根据权利要求...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈思元，赵礼，叶俊杰，
申请(专利权)人：上海诺睿科半导体设备有限公司，
类型：发明
国别省市：
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