一种TFT器件的制备方法技术

一种TFT器件的制备方法，包括：在玻璃基板上形成栅极金属层；在栅极金属层上形成栅极绝缘层；在栅极绝缘层上形成有源层；在有源层上形成源极金属层和漏极金属层；再覆盖源极绝缘层；其中，栅极金属层、源极金属层和漏极金属层的铝蚀刻液的酸浓度为：磷酸、硝酸、醋酸成分占比65％、3.50％、17.50％；栅极绝缘层使用异质双层膜质，成膜方式为化学气相沉积。本发明专利技术通过调整金属坡度及提升膜质覆盖性，减少因产品覆盖性不佳带来的器件漏电及传级阻抗过大造成的面板显示不良，可以有效提升产品品质。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于半导体薄膜的制作方法，具体是指一种tft器件的制备方法。

技术介绍

1、铟镓锌氧化物(igzo)器件具有高迁移率和高透过率的特点，铟镓锌氧化物薄膜作为有源层被广泛的应用于薄膜晶体管(tft)，为更好发挥igzo材料特性，使产品性能更加稳定及信赖性更优，器件间组成结构需达到最优化。铟镓锌氧化物(igzo)的载流子迁移率是非晶硅的20倍，其tft器件更适用于高于非晶硅驱动频率及刷新率需求的产品，故igzo产品对于tft器件电性及驱动系统传输能力更为严苛。

2、tft器件结构(如图1所示)中栅极、源极、漏极在阵列工艺制程均为金属层，材料一般使用钼铝钼，金属层的厚度、线宽及坡度是影响产品驱动能力的重要因子，若金属层的坡度过陡，器件间的搭接阻抗及线路阻抗过高，则电路驱动过程中由于阻抗过高大部分电荷被攫取从而导致级传失效，造成面板显示不良；而栅极与源级/漏极间绝缘层的覆盖性及应力形态则会影响器件电性，覆盖性不佳会导致两层金属层短接，造成器件不良，且绝缘层应力形态和导体层及金属层不匹配会造成tft器件电性偏移，导致面板显示不良且信赖性不佳。故为本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种TFT器件的制备方法，包括如下步骤：在玻璃基板上形成栅极金属层；在栅极金属层上形成栅极绝缘层；在栅极绝缘层上形成有源层；在有源层上形成源极金属层和漏极金属层；再覆盖源极绝缘层；

【技术特征摘要】

1.一种tft器件的制备方法，包括如下步骤：在玻璃基板上形成栅极金属层；在栅极金属层上形成栅...

【专利技术属性】
技术研发人员：余振富，黄海龙，林冰冰，杨朝胜，林秋玉，崔文涛，郭行然，
申请(专利权)人：福建华佳彩有限公司，
类型：发明
国别省市：