【技术实现步骤摘要】
本公开总体涉及静态随机存储器装置，并且更具体地，涉及包括使用背侧金属的位线的静态随机存储器装置。
技术介绍
1、由于半导体用户的积极需求和半导体制造商的不断努力，与半导体装置相关的技术在世界范围内持续增长和发展。此外，半导体制造商正在努力进一步小型化、增加半导体装置的高集成度并增大半导体装置的容量，同时加速研究和发展，使得执行更稳定和主动的操作并且使其更快。半导体制造商的这些努力导致了微工艺技术、超小型装置技术和电路设计技术的进步，以及诸如动态随机存取存储器(dram)和静态随机存取存储器(sram)的半导体存储器单元的技术的显著成就。
2、在随机存取存储器的情况下，随着集成程度增加，位线以及字线的长度通常增大，并且连接的装置的数量增加。然而，随着位线以及字线的数量增加和每条布线的长度增大，寄生电容因金属线的特性而增大，并且在设计中存在应考虑位线布线的困难。
技术实现思路
1、如本公开的一个或多个实施例所示出的，本公开具体涉及包括使用背侧金属的位线的静态随机存储器装置。本公开的...
【技术保护点】
1.一种存储器装置，包括：
2.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，第一存储器单元和第二存储器单元中的每个是静态随机存取存储器单元。
3.根据权利要求2所述的存储器装置，其中，第一存储器单元和第二存储器单元中的每个包括位线晶体管、互补位线晶体管和两个反相器。
4.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，存储器单元阵列中的所述多个列包括多个子组，
5.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，第一位线金属线是在所述多个存储器单元被形成的基底的上表面上的前侧金属线，并且第二位线金属线是在基底的与基底的上表面背对的下表面上的背侧金
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【技术特征摘要】
1.一种存储器装置，包括：
2.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，第一存储器单元和第二存储器单元中的每个是静态随机存取存储器单元。
3.根据权利要求2所述的存储器装置，其中，第一存储器单元和第二存储器单元中的每个包括位线晶体管、互补位线晶体管和两个反相器。
4.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，存储器单元阵列中的所述多个列包括多个子组，
5.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，第一位线金属线是在所述多个存储器单元被形成的基底的上表面上的前侧金属线，并且第二位线金属线是在基底的与基底的上表面背对的下表面上的背侧金属线。
6.根据权利要求1所述的存储器装置，还包括：直接背侧接触件，该直接背侧接触件在第二位线金属线的上表面与第二存储器单元的第二位线晶体管的源极/漏极金属的下表面之间，以将第二位线金属线与第二位线晶体管的源极/漏极金属电连接。
7.根据权利要求1所述的存储器装置，还包括：位线过孔，该位线过孔在第一位线金属线的下表面与第一存储器单元的第一位线晶体管的源极/漏极金属的上表面之间，以将第一位线金属与第一位线晶体管的源极/漏极金属电连接。
8.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，第一位线金属线和第二位线金属线分别连接到所述多个列中的相同列的感测放大器。
9.一种存储器装置，包括：
10.根据权利要求9所述的存储器装置，其中，第一存储器单元和第二存储器单元中的每个是包括位线晶体管、互补位线晶体管和两个反相器的静态随机存取存储器。
11.根据权利要求10所述的存储器装置，其中，第二存储器单元包括第一位线过孔，该第一位线过孔在第二位线金属线的下表面与第二存储器单元的位线晶体管的源极/漏极金属的上表面之间，以将第二存储器单元电连接到第二位线金属线。
12.根据权利要求11所述的存储器装置，其中，第二存储器单元包括第二位线过...
【专利技术属性】
技术研发人员：崔知贤，唐昊莹，李于晋，金兑衡，郑裕卓，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：
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