【技术实现步骤摘要】
本公开涉及一种半导体存储器装置，尤其涉及一种三维(3d)铁电随机存取存储器(feram)及其制造方法。
技术介绍
1、由于电子产品需要小型化、多功能性和高性能，因此需要高容量半导体存储器装置，并且需要增加的集成度以提供高容量半导体存储器装置。因为二维(2d)半导体存储器装置的集成度主要由单位存储器单元占据的面积决定，所以2d半导体存储器装置的集成度正在增加，但仍然受到限制。因此，已经提出了一种通过在衬底上沿垂直方向堆叠多个存储器单元来增加存储器容量的3d半导体存储器装置。
技术实现思路
1、一个或更多个实施方式提供了一种具有优异耐久性且无泄漏问题的三维(3d)铁电随机存取存储器(feram)及其制造方法。
2、本公开要解决的问题不限于上述问题，并且本领域普通技术人员可以从下面的描述中清楚地理解其他问题。
3、根据示例实施方式的一方面，提供了一种三维(3d)铁电随机存取存储器(feram)，包括：衬底；半导体图案，以其间具有绝缘层的多层结构在衬底上在垂直方向上堆叠，并...
【技术保护点】
1.一种三维铁电随机存取存储器，包括：
2.根据权利要求1所述的三维铁电随机存取存储器，其中所述第一电极中的每个在垂直于所述垂直方向的水平截面和垂直于所述第一水平方向的垂直截面中的每个上具有‘形状。
3.根据权利要求2所述的三维铁电随机存取存储器，其中所述铁电层在所述垂直方向上延伸，并且包括与所述第一电极中的每个的所述形状相对应的沿着所述水平截面和所述垂直截面中的每个的形部分。
4.根据权利要求2所述的三维铁电随机存取存储器，其中所述第二电极中的每个包括：
5.根据权利要求2所述的三维铁电随机存取存储器，其中所述位线中的...
【技术特征摘要】
1.一种三维铁电随机存取存储器，包括：
2.根据权利要求1所述的三维铁电随机存取存储器，其中所述第一电极中的每个在垂直于所述垂直方向的水平截面和垂直于所述第一水平方向的垂直截面中的每个上具有‘形状。
3.根据权利要求2所述的三维铁电随机存取存储器，其中所述铁电层在所述垂直方向上延伸，并且包括与所述第一电极中的每个的所述形状相对应的沿着所述水平截面和所述垂直截面中的每个的形部分。
4.根据权利要求2所述的三维铁电随机存取存储器，其中所述第二电极中的每个包括：
5.根据权利要求2所述的三维铁电随机存取存储器，其中所述位线中的每条位线在第一侧表面上具有凹凸形状并且在与所述第一侧表面相对的第二侧表面上具有在所述第一水平方向上延伸的直线形状，所述第一侧表面在所述第二水平方向上接触所述水平截面上的所述半导体图案中的每个半导体图案。
6.根据权利要求1所述的三维铁电随机存取存储器，其中所述第一电极中的每个在垂直于所述垂直方向的水平截面和垂直于所述第一水平方向的垂直截面两者上具有矩形形状。
7.根据权利要求6所述的三维铁电随机存取存储器，其中所述铁电层包括在所述垂直方向上彼此间隔开的多个铁电层，并且
8.根据权利要求7所述的三维铁电随机...
【专利技术属性】
技术研发人员：李全一，李炅奂，高永仁，早川幸夫，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：
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