发光二极管中的分区段且量子力学隔离的有源区制造技术

描述了LED装置以及用于制造LED装置的相应技术。在一些实施例中，一种LED装置包括多个台面，每个台面对应于单独的LED并且包括分层半导体结构。该分层半导体结构包括有源区和量子势垒(QB)层。该有源区具有由该QB层量子力学地隔离的量子阱(QW)单元的矩阵。特别地，该QB层可以包括脊状结构，该脊状结构将相邻的QW单元侧向分开。该QW单元的矩阵可以被布置为二维阵列。在一些实施例中，该QW单元外延生长，使得每个QW单元沿着中心区域较厚并且沿着周边区域较薄，其中，该周边区域对应于该QW单元与该QB层的脊状结构相遇的位置。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

技术介绍

1、本公开的各方面涉及发光二极管(light emitting diode，led)(例如，微型led)的设计。随着led的物理尺寸的减小，由于表面复合造成的效率损失作为影响整体性能的因素而变得更加显著。特别地，在led台面的侧壁处和/或该侧壁附近的电荷载流子的非辐射复合是导致内部量子效率(internal quantum efficiency，iqe)降低和外部量子效率(external quantum efficiency，eqe)降低的主要原因。在非辐射复合中，电荷载流子复合以释放声子(热)而不是光子。非辐射复合可能由于沿着台面侧壁的缺陷(诸如，由于从分层外延结构蚀刻台面而产生的悬挂键)而发生。对于微型led来说，非辐射复合是一个具有挑战性的问题，因为这种led往往具有高的、台面侧壁的表面积与微型led的体积之间的表面积与体积比。

技术实现思路

1、本公开涉及led装置和制造led装置的方法。在某些方面，形成led可以涉及将半导体结构成形为台面。该半导体结构可以包括外延层的堆叠体，该外延层的本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种发光二极管(LED)装置，所述LED装置包括：

2.根据权利要求1所述的LED装置，其中，所述LED装置还包括：

3.根据权利要求1或2所述的LED装置，其中，所述第一QB层包括脊状纳米结构，所述脊状纳米结构将所述2D阵列中的相邻QW单元分开。

4.根据权利要求3所述的LED装置，其中：

5.根据权利要求3所述的LED装置，其中，所述纳米结构包围所述2D阵列中的每个QW单元的周缘。

6.根据权利要求3所述的LED装置，其中：

7.根据权利要求3所述的LED装置，其中，每个台面还包括形成在所述第一QB层的表面上...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种发光二极管(led)装置，所述led装置包括：

2.根据权利要求1所述的led装置，其中，所述led装置还包括：

3.根据权利要求1或2所述的led装置，其中，所述第一qb层包括脊状纳米结构，所述脊状纳米结构将所述2d阵列中的相邻qw单元分开。

4.根据权利要求3所述的led装置，其中：

5.根据权利要求3所述的led装置，其中，所述纳米结构包围所述2d阵列中的每个qw单元的周缘。

6.根据权利要求3所述的led装置，其中：

7.根据权利要求3所述的led装置，其中，每个台面还包括形成在所述第一qb层的表面上的掺杂半导体层，所述第一qb层的所述表面是与所述有源区相反的大致平面的表面，其中，所述第一qb层优选地包括具有与所述掺杂半导体层的带隙...

【专利技术属性】
技术研发人员：亚历山大·通基克，克里斯托弗·安托万·赫尼，文用泰，
申请(专利权)人：元平台技术有限公司，
类型：发明
国别省市：