【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及硅通孔检测,具体为一种tsv硅通孔缺陷检测仪器及其分析管理方法。
技术介绍
1、硅通孔技术是3d集成电路中实现三维立体互连的关键技术。在芯片键合之前,检测出tsv(through silicon via,硅通孔)存在的开路或短路缺陷,可以尽早发现错误,挑出不良芯片,有效的降低芯片生产成本;在键合之后进行检测,可以检测键合工艺过程中可能出现的tsv缺陷,同时也可以对键合工艺进行检测,进一步提高出厂产品的良品率。
2、传统的tsv硅通孔缺陷检测方法主要依赖于x光机进行,x光机利用x射线的穿透性和成像性,能够非破坏性地检测材料内部的结构和缺陷。然而,传统的x光机检测方法通常只采用单一的探测头进行扫描,这种方法在探测头性能不稳定或损坏时,可能导致检测结果的不准确,甚至遗漏重要缺陷,此外,当探测头损坏时,传统的x光机检测仪器通常需要停机更换探测头,这不仅影响了设备的持续运行能力,还增加了额外的维护成本和停机时间。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种tsv硅通孔缺
...【技术保护点】
1.一种TSV硅通孔缺陷检测仪器,其特征在于,
2.根据权利要求1所述的一种TSV硅通孔缺陷检测仪器,其特征在于:所述连接杆(271)的外侧设置有限制环(273),所述探测器(26)的顶部设置有锁定环(262),所述限制环(273)的外沿与锁定环(262)的内壁相互啮合,所述锁定环(262)的底部设置有弹簧(263),所述安装座(21)的顶部位于探测器(26)的正上方对应设置有压环(29),所述压环(29)位于连动槽(213)的内壁中活动连接,且压环(29)的底部与锁定环(262)的顶部相接触。
3.根据权利要求1所述的一种TSV硅通孔缺陷检测
...【技术特征摘要】
1.一种tsv硅通孔缺陷检测仪器,其特征在于,
2.根据权利要求1所述的一种tsv硅通孔缺陷检测仪器,其特征在于:所述连接杆(271)的外侧设置有限制环(273),所述探测器(26)的顶部设置有锁定环(262),所述限制环(273)的外沿与锁定环(262)的内壁相互啮合,所述锁定环(262)的底部设置有弹簧(263),所述安装座(21)的顶部位于探测器(26)的正上方对应设置有压环(29),所述压环(29)位于连动槽(213)的内壁中活动连接,且压环(29)的底部与锁定环(262)的顶部相接触。
3.根据权利要求1所述的一种tsv硅通孔缺陷检测仪器,其特征在于:所述安装座(21)的两侧设置有红外传感器(28),所述红外传感器(28)用于确定待检测产品在传送带(3)上的位置,其中当待检测产品输送至安装座(21)正下方后,传送带(3)停止传送,通过安装座(21)上的探测头对产品进行检测。
4.根据权利要求1所述的一种tsv硅通孔缺陷检测仪器,其特征在于:所述安装座(21)的顶部位于步进电机(22)的两侧设置有气缸(24),所述气缸(24)用于控制安装座(21)的升降。
5.根据权利要求1所述的一种tsv硅通孔缺陷检测仪器,其特征在于:所述伸缩杆(23)包括与固定杆(231)以及套接于固定杆(231)两端的套杆(232),所述固定杆(231)的两侧设置有滑条,所述套杆(232)的内壁设置有相互对应的滑槽,...
【专利技术属性】
技术研发人员:姚政鹏,
申请(专利权)人:武汉昕微电子科技有限公司,
类型:发明
国别省市:
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