半导体装置、半导体装置的控制方法以及半导体装置的制造方法制造方法及图纸

技术编号：42808904 阅读：19 留言：0更新日期：2024-09-24 20:51

本发明专利技术扩大第1信号的转变与第2信号的转变的时间差的允许范围。半导体装置具备：半导体基板、位于半导体基板的第1半导体层和第2半导体层、相对于第1半导体层位于与半导体基板相反的一侧的第3半导体层、相对于第3半导体层位于与半导体基板相反的一侧的第4半导体层和第5半导体层、以及表面均具有绝缘性的第1电极至第3电极，第1电极贯通第5半导体层以及第3半导体层并延伸至第1半导体层。第2电极贯通第2半导体层、第3半导体层、第4半导体层，延伸至半导体基板。第3电极贯通第4半导体层以及第3半导体层并延伸至半导体基板，将第1半导体层与第2半导体层隔开，与第2电极一起夹着第2半导体层。

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【技术实现步骤摘要】

本申请说明书所公开的技术涉及半导体装置。

技术介绍

1、作为半导体装置，公知绝缘栅型双极晶体管(insulated gate bipolartransistor：以下称为“igbt”)。在igbt中，例如，在半导体基板的上表面设置有杂质层。例如，周期性地设置有贯通该杂质层的沟槽。在沟槽的侧面以及底面设置有绝缘层。在沟槽被绝缘层包围地设置有导电体。例如杂质层作为沟道层发挥功能，半导体基板作为漂移层发挥功能。

2、igbt有时采用深度不同的两种沟槽(例如参照专利文献1)。例如深的沟槽到达作为漂移层的半导体基板，浅的沟槽不到达漂移层。

3、控制该半导体装置的动作的信号被单独地赋予设置于深的沟槽的导电体和设置于浅的沟槽的导电体。这些信号控制各个沟槽周围的沟道层的载流子浓度。

4、专利文献1：日本特开2016-154218号公报

5、作为具有上述结构的igbt关闭时的动作的例子，可以想到下述的序列。其中，对设置于浅的沟槽的导电体赋予第1信号，对设置于深的沟槽的导电体赋予第2信号：第2信号的截止转变(off transi本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体装置，其中，

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，

4.根据权利要求3所述的半导体装置，其中，

5.根据权利要求4所述的半导体装置，其中，

6.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，

7.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

8.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

9.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

10.根据权利要求1～9中任一项所述的半导体装置，其中，

11.根据权利要求1～10中任一项所...

【技术特征摘要】